化学抛光：
可用于仪器制造、铝型材铝质反光镜的制造,以及其他零件和镀层的装饰性加工.同电解抛光比较,化学抛光的优点是：不需外加电源,可以处理形状更为复杂的零件,生产等.但是化学抛光的表面质量,一般略电解抛光,溶液的调整和再生也比较困难,往往抛光过程中会析出氧化氮等有害气体。其实这点现在的技术也已经解决，市面上有如两酸化学抛光高光光亮剂等抛光试剂，其不含，不会产生有危害
化学抛光销售
化学抛光：
可用于仪器制造、铝型材铝质反光镜的制造,以及其他零件和镀层的装饰性加工.同电解抛光比较,化学抛光的优点是：不需外加电源,可以处理形状更为复杂的零件,生产等.但是化学抛光的表面质量,一般略电解抛光,溶液的调整和再生也比较困难,往往抛光过程中会析出氧化氮等有害气体。其实这点现在的技术也已经解决，市面上有如两酸化学抛光高光光亮剂等抛光试剂，其不含，不会产生有危害的黄烟
铝化学抛光技术
一、对铝制品表面进行机械抛光：bbs.cnal.com5z4n6T#]:N8p,F3^
1、机械抛光工序为：粗磨、细磨、抛光、抛亮、喷砂、刷光或滚光等，根据制表面的粗糙程度来适当采取不同的工序。二、化学除油除膜：6z,R1d3w;%R1w
化学除油除膜过程是借着化学反应和物理化学作用，除去制件表面的油污和自然氧化膜。化学除油除膜一般采用酸性除油除膜剂AC。:b#^#﹨4;b7s2使用条件：
1、浓度：2-7%6d2X)r*MG8M
2、工艺条件：温度：20-30℃时间：2-10min酸洗液的配方：铝业论坛$V:n'e'^2h8L8N3c
浓硝液200~270ML/L铝业论坛;j'{&[%X-b5d
温度：室温时间：1-3min
除去含合金制件表面氧化膜和硅浮灰的酸洗液配方：9R9F9G9r8~9P'i
浓3体积；浓1体积。温度：室温时间：5-15min:r7T0_-a+m1H0u
铝及铝合金制件经化学酸洗后，必须立即用流动温水和冷水清洗，以除去残酸，然后浸入水中，以备化学抛光。
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
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