光刻胶趋势
半导体光刻胶领域市场规模趋于稳定， 2017年市场约13.5亿美元；约20.2亿元，近5年复合增速达12%。受半导体市场复苏和国内承接产业转移，预计光刻胶市场将保持稳定增速，国内市占率稳步抬升。
光刻胶生产、检测、评价的设备价格昂贵，需要一定前期资本投入；光刻胶企业通常运营成本较高，下游厂商认证采购时间较长，为在设备、研发和技术服
NR9 3000PY光刻胶公司
光刻胶趋势
半导体光刻胶领域市场规模趋于稳定， 2017年市场约13.5亿美元；约20.2亿元，近5年复合增速达12%。受半导体市场复苏和国内承接产业转移，预计光刻胶市场将保持稳定增速，国内市占率稳步抬升。
光刻胶生产、检测、评价的设备价格昂贵，需要一定前期资本投入；光刻胶企业通常运营成本较高，下游厂商认证采购时间较长，为在设备、研发和技术服务上取得竞争优势，需要足够的中后期资金支持。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。企业持续发展也需投入较大的资金，光刻胶行业在资金上存在较高的壁垒，国外光刻胶厂商相对于国内厂商，其公司规模更大，具有资金和技术优势。
总体上，光刻胶行业得到层面上的政策支持。光刻工艺重要性二光刻胶的曝光波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13。《集成电路产业发展推进纲要》，提出“研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备，开发光刻胶、大尺英寸硅片等关键材料”；重点支持的高新技术领域（2015）中提到“高分辨率光刻胶及配套化学品作为精细化学品重要组成部分，是重点发展的新材料技术”；光刻技术（包括光刻胶）是《制造 2025》重点领域。
光刻胶京东方
事实上，我国是在缺乏经验、缺乏技术人才，缺失关键上游原材料的条件下，全靠自己摸索。光刻胶的主要技术指标有解析度、显影时间、异物数量、附着力、阻抗等。近年来，尽管光刻胶研发有了一定突破，但国产光刻胶还是用不起来。目前，国外阻抗已达到15次方以上，而国内企业只能做到10次方，满足不了客户工艺要求和产品升级的要求，有的工艺虽达标了，但批次稳定性不好。
“10次方的光刻胶经过多次烘烤，由于达不到客户需求的防静电作用，不能应用到新一代窄边框等面板上。而国外做到15次方就有了很好的防静电作用。这还是我们的光刻胶材料、配方、生产工艺方面存在问题。”李中强说。
关键指标达不到要求，国内企业始终受制于人。就拿在国际上具有一定竞争实力的京东方来说，目前已建立17个面板显示生产基地，其中，有16个已经投产。但京东方用于面板的光刻胶，仍然由国外企业提供。
光刻胶
按感光树脂的化学结构，光刻胶可分为光聚合型光刻胶、光分解型光刻胶和光交联型光刻胶。在应用中，采用不同单体可以形成正、负图案，并可在光刻过程中改变材料溶解性、抗蚀性等。
光聚合型光刻胶
烯类，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合。
光分解型光刻胶
叠氮醌类化合物，经光照后,会发生光分解反应，由油溶性变为水溶性。
光交联型光刻胶
聚乙烯醇月桂酸酯，在光的作用下,分子中的双键打开，链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构从而起到抗蚀作用。
按曝光波长，光刻胶可分为紫外（300~450 nm）光刻胶、深紫外（160~280 nm）光刻胶、极紫外（EUV，13.5 nm）光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X 射线光刻胶等。
按应用领域，光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD 光刻胶、半导体光刻胶等。PCB 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术的水平。
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