更好的解决溥膜电容频率高，总线周期特别快的情况，苏州薄膜电容厂家为增加系统的抗电磁干扰能力采取如下措施：
减小信号传输中的畸变：
微控制器主要采用高速CMOS技术制造。信号输入端静态输入电流在1mA左右，输入电容10PF左右，输入阻抗相当高，高速CMOS电路的输出端都有相当的带载能力，即相当大的输出值，将一个门的输出端通过一段很长线引到输入阻抗相当高的输入端
CL11电容
更好的解决溥膜电容频率高，总线周期特别快的情况，苏州薄膜电容厂家为增加系统的抗电磁干扰能力采取如下措施：
减小信号传输中的畸变：
微控制器主要采用高速CMOS技术制造。信号输入端静态输入电流在1mA左右，输入电容10PF左右，输入阻抗相当高，高速CMOS电路的输出端都有相当的带载能力，即相当大的输出值，将一个门的输出端通过一段很长线引到输入阻抗相当高的输入端，反射问题就很严重，它会引起信号畸变，增加系统噪声。当Tpd＞Tr时，就成了一个传输线问题，必须考虑信号反射，阻抗匹配等问题。
薄膜电容厂家概述薄膜电容
为了增加电容器的电容量，通常采用将金属电极轧陈箔与绝缘介质薄膜一同卷绕成芯子以尽可能减小体积，这样就形成了薄膜电容器。薄膜电容器由于介质材料的多样性，使薄膜电容器称为电容器家族中丰富多彩的一个分支。薄膜电容器可以根据绝缘介质的不同分为纸介质、有机介质等。纸介质是薄膜电容器早的介质，由于其自身特有的性能，在的有机介质大量应用的今天，纸介质仍具有其应用价值。有机介质也可以分为聚乙烯、聚、聚四氟乙烯、聚、聚酯、聚碳酸酯、聚酰、聚砜、聚苯硫醚、漆膜等。不同的介质具有不同的电气性能，可以根据不同的应用选择相应的介质电容器。
从电极形式上分类，薄膜电容器还可以根据电极形成方式的不同分为金属箔薄膜电容器和金属化电容器，而金属化电容器由于电极厚度基本上可以忽略，因此金属化电极的薄膜电容器可以得到更小的体积。
薄膜电容器z新的卷绕方式是将电极、介质膜卷绕在一个直径60CM的“圆盘”上，再将卷绕的“电容器”分割成所需要的成品电容器，形成叠片式薄膜电容器。
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