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常压烧结法（ PLS)

在提高烧结氮气氛压力方面，利用Si3N4 分解温度升高（通常在N2 = 1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内进压烧结。该法目的在于采用气压能促进Si3N4 陶瓷组织致密化，从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。该法目的在于采用气压能促进Si3N4陶瓷组织致密化，从而提高陶瓷的强度。这种方法的缺点与热压烧结相似。

硅粉中含有许多杂质，如Fe，Ca，Aì，Ti等。Fe被认为是反应过程中的催化剂。它能促进硅的扩散，但同时，也将造成气孔等缺陷。Fe作为添加剂的主要作用：在反应过程中可作催化剂，促使制品表面生成SiO2氧化膜；形成铁硅熔系，氮溶解在液态FeSi2中，促进β-Si3N4的生成。然后在1350℃～1450℃的高温炉中进行二次氮化，反应成氮化硅。但铁颗粒过大或含量过高，制品中也会出现气孔等缺陷，降低性能。一般铁的加入量为0～5%。Al，Ca，Ti等杂质，易与硅形成低共熔物。适当的添加量，可以促进烧结，提高制品的性能。

氮化硅的很多 特点都归纳为在这里结构。纯Si3N4为3119，有α和β二种分子式，均为六角晶体结构，其融解温度在空气中为1800℃，在110MPa氮中为1850℃。Si3N4热膨胀系数低、导热率高。压合锻烧的氮化硅升温到l000℃后资金分配冷水中也不易。没有太高的温度下，Si3N4具有较高的抗压强度和抗冲击性，但在1200℃以上会随使用时间的提升而出現毁坏，使其抗压强度降低，Si3N4未来的发展前途是：⑴充分利用和应用Si3N4本身所具有的优异特性；⑵在Si3N4粉状锻烧时，设计开发一些新的助熔剂，科研和控制现阶段助熔剂的成分；⑶改善制粉、成型和煅烧法；⑷产品研发Si3N4与SiC等原料的复合化，有利于制取很多的纤维材料。为了消除砖在烧成过程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接结合氮化硅砖。它耐高温，抗压强度一直可以 维持到1200℃的高温而不减少，受热后不易熔成融体，一直到1900℃才会融解，并有让人的耐水洗浸蚀能，可耐大部分所有的氧化剂和30%以下的溶液，也可耐很多 柠檬酸钠的腐蚀；此外也是一种电电缆护套原材料。




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