1.1 设备数量 1套
* 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数
* 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分
* 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等
* 1.5 软件模块 设备软件部分应包括：
1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；
2. 图形化操作界面；中/英文操作系统
3.输出EXCEL、wor测
变频器用IGBT测试仪现货供应
1.1 设备数量 1套
* 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数
* 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分
* 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等
* 1.5 软件模块 设备软件部分应包括：
1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；
2. 图形化操作界面；中/英文操作系统
3.输出EXCEL、wor测试报告
*4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度
*5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格；
*6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比；1～200AVge栅极电压 -30V～30V -30～0V±1%±0。
2、设备尺寸
2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm
2.2 设备总体宽度 ≤600mm
2.3 设备总体高度 ≤500mm
13）被测器件旁路开关
被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。
电流能力 DC 50A
隔离耐压 15kV
响应时间 150ms
工作方式 气动控制
工作气压 0.4MPa
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
14）工控机及操作系统
用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：
机箱：4Μ 15槽上架式机箱；
支持ATX母板；
CPΜ：INTEL双核；
主板：研华SIMB；
01mA
栅极电压Vge： 0V
4）集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat：0。硬盘：1TB；内存4G；
3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；
集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。
西门子PLC逻辑控制
3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路
通态压降测试电路
高压充电电源：10~1500V连续可调
支撑电容：额定电压2kV
饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V
栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V
集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A
测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定
4）栅极漏电流测试电路
栅极漏电流测试电路
可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；
小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA
3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3。栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；
脉冲时间：40~100ms可设定
4验收和测试
3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。
4)测试单元发货到买方前，卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。可移动型仪器，使用方便，测试简单，立即提供测试结果与数值。
（作者： 来源：）
