IGBT测试装置技术要求
（1）设备功能
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。1示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道。系统的测试原理符合相应的，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管
变频器用IGBT测试仪批发
IGBT测试装置技术要求
（1）设备功能
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。1示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道。系统的测试原理符合相应的，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。
5、感性负载
5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH；
5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A；
外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。
6、标准的双控制极驱动
6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；
6.2 开启（Trun-ON）输出电压 Vge+ ： +15V；
6.3 关断（Trun-ON）输出电压 Vge- ： -15V；
6.4 脉宽： 10 ~ 1000us （单脉冲、双脉冲总时间）；
6.5 电压开关时间： < 50ns；
6.6 输出内阻： < 0.5Ω；
2.3栅极电荷技术条件
测试参数：
栅极电荷Qg：20nC～100uC
20nC～100nC±5%，分辨率±1nC
100nC～500nC±5%，分辨率±5nC
500nC～2uC±5%，分辨率±10nC
2uC～10uC±5%，分辨率±50nC
10uC～100uC±5%，分辨率±100nC
测试条件：
1、栅极驱动电压：-15V～+15V±3%，分辨率±0.1V
2、集电极电流：50～100A±3%±1A;
100～500A±3%±2A;
500～1000A±3%±5A;
3、集电极电压：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5V
500V～1000V±3%±10V
4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求
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