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NR73G 6000P光刻胶厂家质量放心可靠 北京赛米莱德

LCD市场助力 LCD面板总出货面积增长,LCD光刻胶需求增加。在半导体应用领域,随着汽车电子、物联网等发展,会在一定程度上增加对G线、I线的需求,利好G线、I线等生产企业。据WitsView数据,虽然近三年国际LCD厂商面板出货量有所下降,但是由于大屏显示的市场扩增,LCD整体出货面积变大,2016年出货总面积达到1.7亿平方米,同比增长4.6%。随着LCD出货面积
NR73G 6000P光刻胶厂家






LCD市场助力

LCD面板总出货面积增长,LCD光刻胶需求增加。在半导体应用领域,随着汽车电子、物联网等发展,会在一定程度上增加对G线、I线的需求,利好G线、I线等生产企业。据WitsView数据,虽然近三年国际LCD厂商面板出货量有所下降,但是由于大屏显示的市场扩增,LCD整体出货面积变大,2016年出货总面积达到1.7亿平方米,同比增长4.6%。随着LCD出货面积的持续增长,产业信息网预测,未来几年LCD光刻胶的需求量增长速度为4%~6%。随着国内厂商占据LCD市场比重越来越大,国内LCD光刻胶需求也会持续增长。

光刻胶市场

据统计资料显示,2017年光刻胶行业产量达到7.56万吨,较2016年增加0.29万吨,其中,本土光刻胶产量为4.41万吨,与7.99万吨的需求量差异较大,说明我国供给能力还需提升。

国内企业的光刻胶产品目前还主要用于PCB领域,代表企业有晶瑞股份、科华微电子。

在半导体应用领域,随着汽车电子、物联网等发展,会在一定程度上增加对G线、I线的需求,利好G线、I线等生产企业。预计G线正胶今后将占据50%以上市场份额,I线正胶将占据40%左右的市场份额,DUV等其他光刻胶约占10%市场份额,给予北京科华、苏州瑞红等国内公司及美国futurrex的光刻胶较大市场机会。为了提高曝光系统分辨率的性能,Futurrex的光刻胶正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。


NR9-3000PY

11.请教~有没有同时可以满足RIE

process 和Lift-off

process的光阻,谢谢!

A 我们推荐使用Futurrex

NR1-300PY来满足以上工艺的需求。

12.Futurre光刻胶里,有比较容易去除的负光阻吗?

A NR9-系列很容易去除,可以满足去胶需要。

13.我们目前用干膜做窄板,解析度不够,希望找到好的替代光阻?

A NR9-8000因为有很高的AR比例,适合取代,在凸块的应用上也有很大的好处。

14.传统的Color

filter 制程,每个颜色的烘烤时间要2-3个小时,有没有更快的方法制作Coior

filter

A 用于Silylation制程------烘烤时间只需要2分钟,同时光阻不需要Reflow, 颜色也不会老化改变,只需要在Filter上面加热溶解PR1-2000S光阻,Microlenses就能形成!

15.请问有专门为平坦化提供材料的公司吗?

A 美国Futurrex公司,专门生产应用化学品的,可以为平坦化的材料提供PC3-6000和PC4-1000都是为平坦化用途设计,台湾企业用的比较多。

16.我需要一种可用于钢板印刷的方式来涂布PROTECTIVE

COATING,那种适合??

A 推荐美国Futurrex,PC4-10000。

17.腊是用来固定芯片的,但很难清洗干净,哪里有可以替代的产品介绍下,谢谢?

A 我们公司是使用Futurrex

PC3-6000,可以替代的,而且去除比较容易,你可以试用下。

18.请问有没有100微米厚衬底为镀镍硅并可用与MEMS应用的光刻胶吗?

A NR4-8000P可以做到140微米的厚度,并在镀镍的衬底上不会出现难去胶的问题,如果是其他非镀镍衬底NR9-8000P是适合的选择。

19.谁有用在光波导图案的光刻胶?是否可以形成角度为30度的侧壁?

A 你必须实现通过逐步透光来实现掩膜图案棱的印刷,NR4-8000P是专门为光波导图案应用进行设计的产品。



光刻胶

光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成,又被称为光致抗蚀剂,这是一种对光非常敏感的化合物。此外,光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光曝光后,它在显影液中的溶解度会发生变化。就拿在国际上具有一定竞争实力的京东方来说,目前已建立17个面板显示生产基地,其中,有16个已经投产。

分类

根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。

正胶

曝光前对显影液不可溶,而曝光后变成了可溶的,能得到与掩模板遮光区相同的图形。

优点:分辨率高、对比度好。

缺点:粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。

灵敏度:曝光区域光刻胶完全溶解时所需的能量

负胶egative






Photo Resist)

与正胶反之。

优点: 良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快。

缺点: 显影时发生变形和膨胀,导致其分辨率。

灵敏度:保留曝光区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。



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