PR1-2000A1NR9 3000P光刻胶报价
4,曝光
前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，进行曝光，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，
光源与光刻胶相匹配，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段；
对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。
NR9 3000P光刻胶报价
PR1-2000A1NR9 3000P光刻胶报价
4,曝光
前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，进行曝光，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，
光源与光刻胶相匹配，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段；
对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。
曝光时间，由光源强度，光刻胶种类，厚度等决定，
另外，为降低驻波效应影响，可在曝光后需进行烘焙，称为光后烘焙（PEB）
PR1-1000A1
NR9-3000PY 负性光刻胶
负胶 NR9-3000PY 被设计用于i 线（365 nm）曝光，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻
和接触式光刻等工具。
显影之后，NR9-3000PY 展现出一种倒梯形侧壁，这可以方便地作单纯的LIFT-OFF 处理。
NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：
- 优异的分辨率性能
- 地显影
- 可以通过调节曝光能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度
- 耐受温度100℃
- 室温储存保质期长达3 年
Lift-Off工藝
應用領域：LEDs，OLEDs，displays，MEMS，packaging，biochips。
濕法蝕刻，鍍 干法蝕刻（RIE/Ion Milling/Ion implantation）
附着力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C
Resist Thickness NR9-3000PY 负性光刻胶
负胶 NR9-3000PY 被设计用于i 线（365
nm）曝光，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻
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