同方迪一贴片整流桥堆特点
1、采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
2、采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
3、采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
4、采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压可重复利用
5、内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
整流桥堆KBP310G
同方迪一贴片整流桥堆特点
1、采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
2、采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
3、采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
4、采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压可重复利用
5、内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
同方迪一分享整流桥的主要参数
整流桥的本质是二极管，所以整流桥的主要参数与二极管类似。
①反向峰值电压（VRRM）：整流桥能承受的反向电压*大值，超过此值,整流桥击穿。示例中GBJ2510反向峰值电压为1000V。
②平均整流电流（Io）:整流桥长期工作时所能承受的流过的*大电流，超过这个值整流桥热击穿。示例中全系列整流桥的平均整流电流在带散热片的条件下为25A，不带散热片的条件下为4A。
③正向峰值浪涌电流（IFSM）：整流桥能扛住的瞬间电流冲击*大值，超过此值，整流桥损坏。示例中全系列整流桥能在半个周期内扛住的*大冲击电流为320A。
同方迪一介绍整流桥选型计算实例
整流桥选型主要参考反向峰值电压和平均整流电流这两个参数，并且留有余量。具体如下：
整流桥的反向击穿电压应满足：≥1.5√2×Vin(max);
整流桥的平均整流电流应满足：≥5×P/Vin(min);
举例：设计一款交流输入电压范围为:90～265Vac,功率为30W的开关电源，整流桥选型应满足以下：
VRRM≥1.5√2×Vin(max)=1.5√2×265=750V
Io≥5×P/Vin(min)=5×30/90=1.67A
注：
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