碳化硅形成的特点是不通过液相，其过程是，约从1700摄氏度开始，碳质原料由砂粒变为熔体，进而变为蒸汽；二氧化硅熔体和蒸汽钻进碳质材料的气孔，渗入碳的颗粒，发生生成SiC的反应；温度升高至1700-1900摄氏度时，生产β-SiC；温度进一步升高至1900-2000摄氏度时，细小的β-SiC转变成α-SiC，α-SiC晶粒逐渐长大和密实；炉温再升至2500摄氏度左右，Si
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碳化硅形成的特点是不通过液相，其过程是，约从1700摄氏度开始，碳质原料由砂粒变为熔体，进而变为蒸汽；二氧化硅熔体和蒸汽钻进碳质材料的气孔，渗入碳的颗粒，发生生成SiC的反应；温度升高至1700-1900摄氏度时，生产β-SiC；温度进一步升高至1900-2000摄氏度时，细小的β-SiC转变成α-SiC，α-SiC晶粒逐渐长大和密实；炉温再升至2500摄氏度左右，SiC开始分解变为硅蒸汽和石墨。
碳化硅是由原子构成的,碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用广泛、经济的一种。 我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。
在炼钢时，用碳化硅脱氧时，成渣少而且很快，能有效减少渣中某些有用元素的含量，炼钢时间短而成分更好控制。磨料用或耐火材料用碳化硅在炉中所生成的适合于作脱氧剂的物料，都能全部应用于生产而无须回炉，产品综合利用率高，碳化硅生产的经济效果更好。对于碳化硅用途的介绍就先到这里，希望大家可以通过了解碳化硅的用途，除了能更进一步的了解碳化硅，同时也能通过合理的应用碳化硅，充分发挥出碳化硅的作用，取得更好的应用效果。
碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的材料按照历史进程分为：一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来较被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。
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