同方迪一讲述瓷片电容技术参数的发展历程
1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容 ；
30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容 ；
1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数 的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。
超高压直插瓷片电容25KV
同方迪一讲述瓷片电容技术参数的发展历程
1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容 ；
30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容 ；
1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数 的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。
1960年左右陶瓷叠片电容 作为商品开始开发。
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点。
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容 市场的70%左右。
同方迪一销售高压瓷片电容
陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠。陶瓷材料有几个种类。自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、 BaTiO3, CaZrO3(锆酸钙)等。和其它的电容 相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整。
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容 到大型的功率瓷片电容。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容 ；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容 ；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。
瓷片电容超出温度会失效
在使用瓷片电容时，我们应该充分考虑到温度对电容产生的影响，若瓷片电容一直在高温的环境下工作，不能散热，则会造成瓷片电容损坏，出现寿命衰减的情况。温度会影响瓷片电容的容量和绝缘电阻。
就拿瓷片电容的Y5V特性来说，它的变化率是正百分之三十百分之八十。-25℃ ~ +85℃是瓷片电容的工作温度，意思就是瓷片电容可以在这两种温度下工作，不受影响。如果瓷片电容只要是超过-40℃~+85℃这个温度范围工作，就会影响到产品的使用期限。 因工作温度过高或过低时，陶瓷电容容量下降过多，就会影响性能，造成失效。
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深圳市同方迪一电子有限公司
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