MBR30100FCT肖特基二极管台湾ASEMI
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MBR30100FCT肖特基二极管台湾ASEMI采用的是俄罗斯进口Mikron芯片，电性参数为30A100V,内含芯片个数有2个，芯片尺寸达122MIL，工作温度为-40~170℃。有3条引脚，两边脚输入，中间脚输出。
强元芯电子肖特基二极管MBR30100FCT台产原装“
肖特基二极管特性
MBR30100FCT肖特基二极管台湾ASEMI
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MBR30100FCT肖特基二极管台湾ASEMI采用的是俄罗斯进口Mikron芯片，电性参数为30A100V,内含芯片个数有2个，芯片尺寸达122MIL，工作温度为-40~170℃。有3条引脚，两边脚输入，中间脚输出。
强元芯电子肖特基二极管MBR30100FCT台产原装“ASEMI”，广泛用于开关电源做整流二极管，逆变电路做续流、反压吸收二极管，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。其采用俄罗斯进口晶圆-Mikron芯片，具有高抗冲击能力，电性能稳定，可信赖度佳，产品都是已通过、均符合欧盟ROHS认证产品，UL认证。
ASEMI肖特基二极管MBR40100DC
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ASEMI肖特基二极管MBR40100DC，其中MBR是肖特基的表示方式，40表示的是正向整流40A，而100表示的是反向耐压为100V；DC代表其封装是TO-263全塑封；其包装方式管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。ASEMI肖特基二极管MBR40100DC广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。欢迎咨询。
ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT
ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT是一种低功耗、高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，具有反向恢复时间短，速度快，有效防止浪涌，减少开通瞬间的功耗等功能。其封装为：TO-220；电性参数正向电流为30A，反向耐压为100V；正向峰值浪涌电流为200A，反向恢复时间：＜5ns，芯片尺寸：122MIL.
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