洁净室中的温湿度控制
洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来
无尘室设备
洁净室中的温湿度控制
洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100
um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超过25度，湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以清除。单向流和层流的名称均说明了其气流的状况：气流以一个方向流动(或是垂直的或是水平的)，并以一般是0。相对湿度越高,粘附的越难去掉，但当相对湿度30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产湿度范围为35—45%。
空气洁净度等级标准及规范：
经济和科技发达的和地区都有自己的空气洁净标准和规范标准，都规定了有关的洁净度等级，例如美国、日本、西欧、北欧、俄罗斯等。我国于1984年颁布《洁净厂房设计规范》(GBJ73-84)，1996年该规范进行了较大的修改，1990年颁布《洁净室施工及验收规范》(JGJ71-90)以指导施工和验收的重要文件。该规范在重新修订中。相对湿度在35%到40%之间可以作为一个令人满意的折中，半导体洁净室一般都使用额外的控制装置以限制静电荷的积累。
光学微电子净化工程解决方案:
2、光学微电子行业净化工程设计方案分析之水冷柜机+增压风柜+高1效送风口
缺点：
A.需要小面积的机房。需要有冷却塔、冷却水泵的摆放位置;
B.空调机组与空调处理机组要集中布置;
C.造价较低。特点：这种方案可以是一次回风也可以是二次回风，具体根据车间的大小情况而定;这类方案一般可以适用于洁净度为千级、万级、十万级等的净化无尘厂房。
净化技术的设备发展
对于半导体设备来讲，净化工程技术在微电子技术中起着十分重要的作用。微电子技术的核心是集成电路，而集成电路的生产对其工艺环境和工艺流程中的净化技术和设备提出了严格的要求。我国“九五”期间大力发展以微电子为重点的信息产业。净化工程技术水平在某种意义上已成为衡量一个和地区科学技术水平和工业水平的一个重要标志。微尘数量被严格控制在每立方米1000个以内，这也就是俗称级别中的千级。
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