光刻胶国内的研发起步较晚
光刻胶的研发，关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂，开发所涉及的技术难题众多，需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。因此，要自主研发生产，技术
光刻胶 FUTURREX公司
光刻胶国内的研发起步较晚
光刻胶的研发，关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂，开发所涉及的技术难题众多，需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。因此，要自主研发生产，技术难度非常之高。发展Futurrex在开发产品方面已经有很长的历史我们的客户一直在同我们共同合作，创造出了很多强势的专利产品。
在光刻胶研发上，我国起步晚，2000年后才开始重视。近几年，虽说有了发展，但整体还处于起步阶段。事实上，工艺技术水平与国外企业有着很大的差距，尤其是材料及设备都仍依赖进口。
光刻的工序
下面我们来详细介绍一下光刻的工序：
一、清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性
基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。
自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。
美国Futurre光刻胶
30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，进口的有没有比较好的光刻胶啊？
都可以啊！goodpr是大陆比较多公司采用的，
但是Futurre 光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也
比较厚从18um-200um都 可以做到，看你对工艺的要求了。
光刻胶FUTURRE光刻胶产品属性：
1 FUTURRE光刻胶产品简要描述及优势:
1.1 Futurre光刻胶黏附性好，无需使用增粘剂（HMDS）
1.2 负性光刻胶常温下可保存3年
1.3 150度烘烤，缩短了烘烤时间
1.4 单次旋涂能够达到100um膜厚
1.5 显影速率快，100微米的膜厚，仅需6~8分钟
Futurrex
提供化学技术的多样化解决方案
成立于1985年,总部设在美国新泽西州，富兰克林市,高速成长并超过20年连续盈利的跨国公司
公司业务覆盖范围包括北美，亚太以及欧洲
基于多样化的技术
应用领域：微电子、光电子、LED、太阳能光伏、微机电系统、生物芯片、微流体、平面印刷
解决方案：的光刻胶、掺杂涂层、平坦化涂层、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻挡层(Barrior Layere)、湿法制程
客户：从财富100强到以风险投资为背景的设备研发及制造公司
使命
目标
提供特殊化学品和全新工艺来增加客户的产能
策略
提供的产品来优化生产制程，以提高设备能效
领的技术提升生产过程中的整体性价比
工艺步骤的减少降低了成本和产生瑕疵的可能
增加客户的产能和生产的效率
工艺减化
非同寻常的显微构造、金属及介电层上的图形转换、光刻、平坦化、掺杂、蚀刻、邦定
在生产过程中，不含有害溶剂
支持所有客户的需要，与客户共创成功
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