以前我做过感光板，效果都很好，显影之后清洗完成马上腐蚀，腐蚀时间的也就5分钟搞定，如果三氯化铁浓度高，温度高的话，一般2分钟内完成腐蚀。
前几天又用感光板做电路，显影以后，由于三氯化铁溶液没有准备好，所以先在太阳下暴晒（增加感光膜硬度），然后放置了2天，今天腐蚀，然而三氯化铁温度，浓度都相当可以，但是腐蚀效果非常差，前后用时有20分钟，下面是图片。贴片IC的脚印之间我用小刀刻过，防止
圆弧面曝光显影公司
以前我做过感光板，效果都很好，显影之后清洗完成马上腐蚀，腐蚀时间的也就5分钟搞定，如果三氯化铁浓度高，温度高的话，一般2分钟内完成腐蚀。
前几天又用感光板做电路，显影以后，由于三氯化铁溶液没有准备好，所以先在太阳下暴晒（增加感光膜硬度），然后放置了2天，今天腐蚀，然而三氯化铁温度，浓度都相当可以，但是腐蚀效果非常差，前后用时有20分钟，下面是图片。贴片IC的脚印之间我用小刀刻过，防止腐蚀后短路，还有几处腐蚀速度很快也是因为我用刀修理过。剩下的地方腐蚀速度差异非常大。原因我考虑可能是显影以后铜膜钝化了，所以和三氯化铁接触不良导致。有遇到过这样情况的帮我分析一下，解决一下，不胜感激涕零无数！
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还在为显影工艺苦恼？把握好这几个要点就够了！由于显影液要进行多次的喷淋，和我们洗衣液一样容易出现很多泡沫。为应对此类情况消泡剂是一个很好的选择。我所知道的常用消泡剂就是AF-3，如果大家还有更好的推荐可以在下方留言！注意前期不要加太多的消泡剂进去，随着泡沫的增多逐量地往里面加。我见过有些厂家的设备具有自动添加消泡剂的功能，圆弧面曝光显影公司
显影液是一种用水稀释的强碱溶液，早期的显影液为或的水溶液，但这两种溶液中都包含有金属，会造成可动离子沾污，对于污染很敏感的集成电路是不能接受的。目前普通的正胶显影液是（TMAH），这种显影液的金属离子浓度很低，从而避免了金属离子的污染。湿法显影。光刻胶早期湿法显影的方式是将一盒晶圆片浸没在显影液中并进行一定幅度的振荡，随着晶圆尺寸的逐渐增大，此方法已经不再适用。圆弧面曝光显影公司
曝光显影参数：在显影过程中有一些关键参数是必须被关注的，这些参数包括显影温度、显影时间、显影液量、当量浓度、排风及清洗等。显影温度。显影液的佳工作温度是 15～25℃。其温度确定后，一般要求温度误差在±1℃（不严格的可以在±2℃）。显影时间。在光刻胶表面的显影液被清洗之前，显影液一直在和光刻胶进行反应。显影程度随显影时间的增加而变化。圆弧面曝光显影公司
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