碳化硅有黑，绿两种。冶炼绿碳化硅时，要求硅质原料中二氧化硅的含量尽可能高，杂质含量尽量低。生产黑碳化硅时，硅质原料中的二氧化硅可稍低一些。对石油焦的要求是固定碳含量尽可能高，灰分含量小于1.2%，挥发分小于12.0%，石油焦的粒度通常在2mm或1.5mm以下。木屑主要用于调整炉料的透气性能，通常的加入量是3%-5%，仅在冶炼绿碳化硅时使用。碳化硅形成的特点是不通过液相，
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碳化硅有黑，绿两种。冶炼绿碳化硅时，要求硅质原料中二氧化硅的含量尽可能高，杂质含量尽量低。生产黑碳化硅时，硅质原料中的二氧化硅可稍低一些。对石油焦的要求是固定碳含量尽可能高，灰分含量小于1.2%，挥发分小于12.0%，石油焦的粒度通常在2mm或1.5mm以下。木屑主要用于调整炉料的透气性能，通常的加入量是3%-5%，仅在冶炼绿碳化硅时使用。
碳化硅形成的特点是不通过液相，其过程是，约从1700摄氏度开始，碳质原料由砂粒变为熔体，进而变为蒸汽；二氧化硅熔体和蒸汽钻进碳质材料的气孔，渗入碳的颗粒，发生生成SiC的反应；温度升高至1700-1900摄氏度时，生产β-SiC；温度进一步升高至1900-2000摄氏度时，细小的β-SiC转变成α-SiC，α-SiC晶粒逐渐长大和密实；炉温再升至2500摄氏度左右，SiC开始分解变为硅蒸汽和石墨。
碳化硅是一种新型的复合脱氧剂，可以在炼钢过程中有效的将钢水中的氧气处理而起到脱氧的作用，使脱氧时间缩短，节约能源，提高炼钢效率，提高钢的质量，降低原辅材料消耗，改善劳动条件，和原工艺相比各项理化性能更加稳定脱氧效果好。碳化硅广泛应用于耐火材料，固结磨具，涂附磨具，工程陶瓷等，具有耐腐蚀，耐冲刷并具有一定的导电性和导热性，高温时具有很高的性。高密度大结晶碳化硅更是高质量耐火材料的骨料。碳化硅粗料已能大量供应，不能算高新技术产品，而技术含量较高的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。
碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的材料按照历史进程分为：一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来较被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。
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