在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。王水在溶解了贵金属的溶液中有大量的残余和硝基物的存在给后续提炼或精炼贵金属带来操作困难或失败，严重影响贵金属的提炼或精炼工艺顺利进行，严重影响贵金属
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在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。王水在溶解了贵金属的溶液中有大量的残余和硝基物的存在给后续提炼或精炼贵金属带来操作困难或失败，严重影响贵金属的提炼或精炼工艺顺利进行，严重影响贵金属回收率，故王水贵金属溶液的浓缩赶硝是紧随溶解其后的务必工序。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。当仅仅将由金属氧化物组成的无机填料(D)作为填料与橡胶组分(A)混合时，导电橡胶能够得到降低色粉的物理粘附力的效果，但是不能将色粉充电至较高程度，因此不能提供足够的打印密度。
为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
的贵金属工业由于较长时期处于计划经济体制，因此发展比较缓慢，特别是铂族金属起步更是比较晚，工艺技术比较落后，国内资源更是匮乏，直到改革开放以后，以上海黄金的开业为标志，在这三十年里，才得到了迅速的发展，出现了现货、纸黄金、纸白银等等的交易模式，为投资者开打了通往财富的大门，更多的开辟了就业渠道，同时铂族金属的生产加工企业和流通领域的企业也似雨后春笋，蓬勃发展，使成为很大的的铂族金属进口和消费国。9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于7的纯度，杂质总含量<。
背靶材料：
无氧铜(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜，因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。 如果保养适当，无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。
钼(Mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温帖合的条件下，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲, 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背靶材料。
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