产生PID效应后有部分电池出现出现了高电阻造成组件PID现象的原因主要是电池片方块电阻的均匀性、减反射层的厚度和折射率等对PID性能都有着不同的影响。上述引起PID现象的三方面中,由在光伏系统中的组件边框与组件内部的电势差而引起的组件PID现象被行业所公认,但在组件和电池片两个方面组件产生PID现象的机理尚不明确,相应的进一步提升组件的抗PID性能的措施仍不清楚。
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产生PID效应后有部分电池出现出现了高电阻造成组件PID现象的原因主要是电池片方块电阻的均匀性、减反射层的厚度和折射率等对PID性能都有着不同的影响。上述引起PID现象的三方面中,由在光伏系统中的组件边框与组件内部的电势差而引起的组件PID现象被行业所公认,但在组件和电池片两个方面组件产生PID现象的机理尚不明确,相应的进一步提升组件的抗PID性能的措施仍不清楚。
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化学法中,西门子法(Siemens process)广为早期生产半导体级多晶硅的业者所采用,此法技术成熟但成本较高。除西门子法外,尚有ASiMi法、流体床反应法与管状沉积法等。ASiMi法是Advanced Silicon Material (ASiMi)公司所研发,系利用硅(silane/ SiH4)为原料的高纯度多晶硅制程技术。2005年ASiMi宣布退出多晶硅市场,大部分股权由挪威REC (Renewable Energy Corp)收购,因此此项技术目前仍由REC在进行生产。
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