kp——线芯结构系数，分割导体kp=0.37，其他导体kp=
0.8~1.0；
对于使用磁性材料制做的铠装或护套电缆，Yp和Ys应比计算值大70%，即:
R=R′[1+1.17(YS+YP)]
3. 电缆的电鳡
3.1自鳡
则单位长度线芯自鳡：
Li=2W/(I2L)=μ0/(8π) =0.5×10-7
式中：
Li——单位
揭阳进口超高压电缆附件
kp——线芯结构系数，分割导体kp=0.37，其他导体kp=
0.8~1.0；
对于使用磁性材料制做的铠装或护套电缆，Yp和Ys应比计算值大70%，即:
R=R′[1+1.17(YS+YP)]
3. 电缆的电鳡
3.1自鳡
则单位长度线芯自鳡：
Li=2W/(I2L)=μ0/(8π) =0.5×10-7
式中：
Li——单位长度自鳡，H/m；
μ0——真空磁导率，μ0=4π×10-7，H/m；
以上一般是实心圆导体，多根单线规则扭绞导体如下表：
因误差不大，计算一般取Li=0.5×10-7H/m。
3.2高压及单芯敷设电缆电鳡
对于高压电缆，一般为单芯电缆，若敷设在同一平面内（A、B、C三相从左至右排列，B相居中，线芯中心距为S），三相电路所形成的电鳡根据电磁理论计算如下：
对于中间B相：
LB=Li+2ln(2S/Dc) ×10-7 ( H/m)
对于A相：
LA=Li+2ln(2S/Dc) ×10-7 -α(2ln2 )×10-7 (H/m)
对于C相：
LC=Li+2ln(2S/Dc) ×10-7 -α2(2ln2 )×10-7 (H/m)
实际计算中，可近似按下式计算：
LA=LB=LC=Li+2ln(2S/Dc) ×10-7 ( H/m)
同时，经过交叉换位后，可采用三段电缆电鳡的平均值，即：
L=Li+2ln(2×(S1S2S3)1/3/Dc) ×10-7 ( H/m)
=Li+2ln(2×21/3S/Dc) ×10-7 ( H/m)
对于多根电缆并列敷设，如果两电缆间距大于相间距离时，可以忽略两电缆相互影响。
2.4电缆沟（隧道）混凝土浇筑及养护
工艺标准
（1） 混凝土的强度等级不应C25。
（2） 根据施工缝的设置要求，进行两次浇筑，浇筑时应振捣密实。
（3） 混凝土浇筑后采取适当的养护措施，保证本体混凝土强度正常增长。
（4） 若处于严寒或寒冷地区，混凝土应满足相关抗冻要求。
（5） 电缆隧道混凝土结构的抗渗等级应不小于S6。
（6） 电缆沟侧墙在盖板的搁置位置宜采取适当的保护支口措施，保证盖板搁置位置下的混凝土在盖板安装及正常使用中不开裂、不破损。电缆沟止口的允许标高偏差≤5mm。
设计要点
（1）结构的设计使用年限
（2）主体结构的安全等级
（3）主体结构的防水等级及防水措施
（4）现浇混凝土强度等级，抗渗等级
（5）混凝土材料应根据使用年限来确定应满足的耐久性基本要求。
施工要点
（1）浇筑前，混凝土应搅拌均匀，坍落度应满足相关技术标准。
（2）混凝土浇筑时，应振捣密实，检查模板有无移位、漏浆。混凝土自由下落高度不大于2m，如超过2m应增设软管或串筒等措施。
（3）浇筑混凝土应连续进行，如必须间歇，其间歇时间应在分层混凝土初凝前完成上层混凝土的浇筑。墙体混凝土浇筑时应分层连续对称进行，两侧墙必须均匀下灰。
（4）按图纸和规范要求合理设置施工缝。水平施工缝上、下本体采用两次浇筑。
（5）在采用插入式振捣时，混凝土分层浇筑时应注意振捣器的有效振捣深度。振捣墙身混凝土应用φ35mm插入式振捣器。振捣底板混凝土应用平板式振动器。
（6）捣固时间应控制在25～40s，应使混凝土表面呈现浮浆和不再沉落。
（7）混凝土浇筑完毕后应加强养护，当混凝土达到设计强度的75％后方可拆除模板。
（8）做好成品的保护工作，防止污染和磕碰。
导体结构及绝缘厚度
导体线芯 标称截面 mm2
导体线芯 结构形式 绝缘标称厚度/mm 注明
铜线 铝线 TR型
LY4或LY6型
240 绞合圆型紧压 19.0 1．TR型铜导体按GB/T3953规定 2．LY4或LY6型铝导体按GB/T3955规定
3．导体直流电阻按GB/T3956规定 4．铜芯分割导体中的单线，应不少于170根
5．绝缘材料为交联聚乙烯(XLPE)
300 绞合圆型紧压 18.5 400 绞合圆型紧压 17.5 500 绞合圆型紧压 17.5 630 绞合圆型紧压 16.5 800 分割导体 16.0 1000 铜芯分割导体 16.0 1200 铜芯分割导体 16.0 1600
铜芯分割导体
16.0
主要技术参数 Main technical permissible data of cable ● 正负序阻及零序阻抗
Sign- sequence impedance and zero-sequence impedance
○○○ 敷设 laying
导体标称截面 Nominal
cross-section of conductor m ㎡
正负序阻抗 Sign-sequence impedance 零序阻抗 Zero-sequence impedance 铜导体 Copper conductor
240 0.0970+j0.211 0.168+j0.134 300
0.0777+j0.204 0.148+j0.128 400 0.0614+j0.195 0.131+j0.119 500 0.0425+j0.188 0.116+j0.114 630 0.0384+j0.180 0.104+j0.108 800 0.0311+j0.172 0.0946+j0.103 铝导体 Aluminum conductor
240 0.161+j0.211 0.232+j0.134 300
0.129+j0.204 0.199+j0.128 400
0.101+j0.195 0.170+j0.119 500
0.0787+j0.188 0.146+j0.114 630 0.0611+j0.180 0.123+j0.108 800
0.0489+j0.172
0.112+j0.103
导体标称截面 Nominal cross-section of conductor mm2
正负序阻抗
Sign-sequence impedance
零序阻抗 Zero-sequence impedance 铜导体 Copper conductor
240 0.0970+j0.209 0.168+j0.134 300
0.0777+j0.202 0.148+j0.128 400 0.0614+j0.193 0.131+j0.
