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分子真空泵是在 1911 年由德国人盖德 首先发明的，并阐述了分子泵的抽气理论，分子泵，使机械真空泵在抽气机理上有了新的突破。 分子泵的抽气机理与容积式机械泵靠泵腔容积变化进行抽气的机理不同，分子泵是在分子流区域内靠高速运动的刚体表面传递给气体分子以动量，使气体分子在刚体表面的运动方向上产生
ULVAC-UTM800FW分子泵
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分子真空泵是在 1911 年由德国人盖德 首先发明的，并阐述了分子泵的抽气理论，分子泵，使机械真空泵在抽气机理上有了新的突破。 分子泵的抽气机理与容积式机械泵靠泵腔容积变化进行抽气的机理不同，分子泵是在分子流区域内靠高速运动的刚体表面传递给气体分子以动量，使气体分子在刚体表面的运动方向上产生定向流动，从而达到抽气的目的。
通常把用高速运动的刚体表面携带气体分子，并使其按一定方向运动的现象称为分子牵引现象。因此，人们将盖德发明的分子泵称为牵引分子泵。分子泵公司主要提供各分子泵电源，真空计，真空显示器，氦气检测仪，质谱仪的维修、保养、销售等服务。分子泵分子泵是利用高速旋转的转子把动量传输给气体分子，使之获得定向速度，从而被压缩、被驱向排气口后为前级抽走的一种真空泵。
这种泵具体可分为： （1)牵引分子泵气体分子与高速运动的转子相碰撞而获得动量，被驱送到泵的出口。
（2)涡轮分子泵 靠高速旋转的动叶片和静止的定叶片相互配合来实现抽气的。这种泵通常在分子流状态下工作。
（3)复合分子泵它是由涡轮式和牵引式两种分子泵串联组合起来的一种复合型的分子真空泵。
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设置为1mT，泵在该磁场下运行12个小时以稳定转子温度；然后关闭磁场，再运行12个小时以使转子降温；然后再分别把磁场设置为2mT，按照前面的步骤继续进行测试，直至磁场增加到7mT。当磁场逐步增加后，被测分子泵转子的平衡温度也随之上升，当磁场强度为7mT时，平衡温度上升到100摄氏度左右（分子泵的很大允许温度为120度）。
另外，使用该测试平台测试了另一台其它的分子泵，一系列的对比测试表明，分子泵在相同的磁场条件下转子的平衡温度明显较低（5mT时，低大约40度）。2020年12月10日，真空推出全新350和450涡轮分子泵，该产品特别适用于质谱分析、电子显微术、测量技术、粒子加速和等离子体物理方面的应用。新产品的应用领域十分广泛，除了用于分析、真空工艺和半导体技术外，还可用于真空镀膜、研发以及工业领域。
350和450性能强大、重量轻且占地面积小。凭借由前级真空侧陶瓷球轴承和高真空侧永磁径向轴承所组成的混合轴承，系列涡轮分子泵的轴承非常坚固，确保了很佳的可靠性。性的转子结构设计赋予了该涡轮分子泵诸多优点：对小分子气体的抽吸能力更大、前级真空泵兼容性广泛、气流量高以及对小分子气体的压缩比。由于可以安装在任意所需方向，该系列泵具有的和灵活性。
传统的产品设计和开发过程，常被当作是研制产品的一个步骤，因为产品的设计者不可能对上市时间、质量与可靠性、生产成本、售后及易维护性等全盘掌握，使用传统过程设计的产品在投入生产时不可避免地需要进行反复修改。产品生命周期设计方法通过提议、调查、实验室原型、生产原型、试运行和量产六个步骤来推动和设计过程，
在这些设计过程推进时，采用各种各样的测试和多个部门参与的交互式讨论和分析来决定产品设计方案和方向，而这其中的关键就是各种测试。为了验证各种不同的设计，执行了远超行业标准的大量测试，在量产之前陆续生产了多达1000余台样泵，对各项结构和功能参数进行测试和分析，很终产品定型时，仅选用了结果很佳的结构和方案。
扩展测试
寿命测试在通过对有统计学意义数量的泵进行加速寿命测试（长时间暴露于加速损坏的条件下），对泵的可靠性进行验证。该测试可确保泵无故障运行的平均时间超过五年。
冲击测试对一批泵在运行和非运行条件下进行一系列测试，证明泵的抗冲击性。每个泵受到30–120g的加速度，相当于从82厘米/32英寸高跌落（处于非运行状态的泵）和从15厘米/6英寸高跌落（处于运行状态的泵）。
通用的沉积技术有化学气相淀积（CVD）、蒸发和溅射PVD。一般来说，其中还要夹杂低温（≤500℃）退火工艺等热处理工艺，用以增进金属层和半导体之间的低电阻接触、消除内应力等。设备运行过程中需要高洁净的真空环境，一般采用以磁悬浮分子泵为主的无油真空系统。
刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确地掩膜图形。现代化的干法刻蚀设备包括复杂的机械、电气和真空系统，同时配有自动化的刻蚀终点检测和控制装置。刻蚀应用工况复杂，清洁性差，充入特种气体种类繁多，因此需要特殊处理的干泵和磁悬浮分子泵。
离子注入设备：离子注入是指在真空环境下，当离子束射向固体材料时，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并很终停留在固体材料中的现象。离子注入是半导体表面附近区域进行掺杂的主要技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入机是集成电路制造工序中的关键设备，需要高清洁的真空环境，以保证离子掺杂浓度和剂量的准确性。
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