制造高纯半导体现代化大型集成电路几乎都是用高纯度金属硅制成的，而且高纯度金属硅还是生产光纤的主要原料，可以说金属硅已成为信息时代的基础支柱产业。
硅铜合金具有良好的焊接性能，且在受到冲击时不易产生火花，具有防爆功能，可用于制作储罐。钢中加入硅制成硅钢片，能改善钢的导磁性，降低磁滞和涡流损失，可用其制造变压器和电机的铁芯，提高变压器和电机的性能。
脱氧硅锰球
制造高纯半导体现代化大型集成电路几乎都是用高纯度金属硅制成的，而且高纯度金属硅还是生产光纤的主要原料，可以说金属硅已成为信息时代的基础支柱产业。
硅铜合金具有良好的焊接性能，且在受到冲击时不易产生火花，具有防爆功能，可用于制作储罐。钢中加入硅制成硅钢片，能改善钢的导磁性，降低磁滞和涡流损失，可用其制造变压器和电机的铁芯，提高变压器和电机的性能。
金属硅“金属硅”（我国也称工业硅）是上世纪六十年代中期出现的一个商品名称。它的出现与半导体行业的兴起有关。通用作法是把商品硅分成金属硅和半导体硅。因此人们非常重视合金元素硅的使用，作为精密合金材料添加剂，硅合金元素使用也是非常有研究意义。金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98%左右（含Si量99.99%的也包含在金属硅内），其余杂质为铁、铝、钙等。半导体硅用于制作半导体器件的高纯度金属硅。
金属硅的牌号：按照金属硅中铁、铝、钙的含量，可把金属硅分为553、441、411、421、3303、3305、2202、2502、1501、1101等不同的牌号。
硅含量在8%-12%之间的铝合金是一个过渡区间，既可以使用通常硬质合金，也可以 使用金刚石刀具。但 使用硬质合金应运用经PVD(物理镀层)方法、不含铝元素的、膜层厚度较小的刀具。
由于PVD方法和小的膜层厚度使刀具坚持较尖利的切削刃变成可以(否则为防止膜层在刃口处异常长大需求对刃口进行满足的钝化，切铝合金就会不行尖利)，而膜层材料含铝可以使刀片膜层与工件材料发生亲合作用而损坏膜层与刀具基体的联络。由于其时的超硬镀层多为铝、氮、钛三者的化合物，可以会因硬质合金基体随膜层坠落时少数坠落构成崩刃。晶形硅具有金刚石的晶体结构和半导体性质，熔点1410℃，沸点2355℃，密度2。
碱度越高，渣中含锰量越低，但不应由此得出结论。碱度越高锰的回收率越高。因为碱度越高，渣量就越大，虽然渣中的锰的百分比下降，炉渣中总的跑锰量不一定下降。
生产经验认为：碱度由0.2增大到0.7~0.8时，锰的回收率随着碱度的增加而提高，碱度再高，锰的回收率反而下降。为了减少随炉气逸出的锰，就要避免高温区过于集中，减少锰的挥发。合金元素硅提高铁素体和奥氏体的硬度和强度，其作用较锰、镍、铬、钨、铝、钒等更强。因此，二次电压不能过高，电极插得深，料柱厚，炉气外逸时有比较长的行程，以便炉料吸收部分挥发的锰，可以减少锰的汽化损失。
（作者： 来源：）
