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ASEMI解析肖特基势垒二极管工作原理：
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便
肖特基二极管应用
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ASEMI解析肖特基势垒二极管工作原理：
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
接下来我们将一起看一下ASEMI肖特基二极管和超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。
在频率上，肖特基二极管大于超快恢复二极管大于快恢复二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；
在电流范围上，肖特基二极管大于超快恢复二极管大于快恢复二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；
在耐压限制范围上，肖特基二极管小于超快恢复二极管小于快恢复二极管小于硅高频整流二极管小于硅高速开关二极管；
由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。
如何判断一只肖特基二极管的好坏呢？应该如何检测呢？下面一起为大家讲解一下。
通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括:①识别电极;②检查管子的单向导电性;③测正向导压降VF;④测量反向击穿电压VBR。
被测管为常见的to-220封装肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照正面(字面朝向人)从左至右顺序编上序号①、②、③。然后选择500型万用表的R×1档进行测量，通断电可显示不同示数，根据示数就可以判断这款肖特基二极管的好坏了。
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