选用低能电子束,样品不用镀膜,可直接观察样品的形貌和成分衬度选用低加速电压，即意味着使用低能电子束，入射样品后受到散射的扩散区域小，相互作用区接近表面，有利于表面形貌成像。常规加速电压观察半导体或绝缘体时，样品必须镀导电膜，这时形貌衬度是成像衬度，膜层完全掩盖了样品不同元素出射电子产率的变化，不能观察到样品的成分衬度。选用低能电子束，样品不用镀膜，可直接观察样品的形貌和成分
三维重构中心
选用低能电子束,样品不用镀膜,可直接观察样品的形貌和成分衬度
选用低加速电压，即意味着使用低能电子束，入射样品后受到散射的扩散区域小，相互作用区接近表面，有利于表面形貌成像。常规加速电压观察半导体或绝缘体时，样品必须镀导电膜，这时形貌衬度是成像衬度，膜层完全掩盖了样品不同元素出射电子产率的变化，不能观察到样品的成分衬度。选用低能电子束，样品不用镀膜，可直接观察样品的形貌和成分衬度，充分反映出材料的原貌。
对于某些导电性差的材料，如半导体、集成电路、印制板、电脑零件、纸张、纤维、或者含水的动植物样品，要求直接观察微观形貌，使用常规高真空（High vacuum，HV）成像受到限制，应该使用VP（Variable pressure，可变压力模式）或EP（Extend pressure，扩展压力模式）成像技术。
扫描电子显微镜SEM分析
扫描电子显微镜具有景深大、分辨率高、成像直观、立体感强、放大倍数范围宽以及待测样品可在三维空间内进行旋转和倾斜等特点。另外，扫描电镜具有可测样品种类丰富，几乎不损伤和污染原始样品以及可同时获得形貌、结构、成分和结晶学信息等优点。
扫描电子显微镜SEM分析原理：用电子技术检测高能电子束与样品作用时产生二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线等并放大成象。谱图的表示方法：背散射象、二次电子象、吸收电流象、元素的线分布和面分布等。
国产扫描电镜的样品制作
国产扫描电镜是经过多年的团队联合研发出来的国产扫描电镜，具有体积小、操作简单、性能优异等特点，扫描电镜放大倍率30~150,000 X，分辨率为5nm。国产扫描电镜由镜筒、电子信号的收集和处理系统、真空系统和电源系统组成，具有放大倍数可调范围宽、图像分辨率高和景深大等特点。
样品制作,安装(样品高度调整)
1.在完全释放真空的状态下开启舱门。
2.把固定在控制轴上的支架按照逆时针方面转动。
3.4.拧下固定在支架上的样品台,安装准备好的样品。
5.固定样品的高度,通过 W/D JIG调整高度。（W/D指工作距离）
- 旋转装在支架上的两个螺母上下部分,样品的上缘高度和夹具限位臂下面一致后,让样品高度不变动的情况下互相往反方向旋紧固定螺母。
※ 样品比较高的情况下可以去掉一个螺母,调整高度。
6.把载物台固定在支架上,沿顺时针方向转动到位固定。
7.缓慢关上舱门,同时按下真空按钮抽真空,待舱门被吸住在松手。
扫描电镜结合其他设备的新分析功能
随着现代科技的发展，扫描电镜的其他组合分析功能也相继出现，如微热台和冷台系统，主要用于观察和分析材料在加热过程中微观结构的变化和冷冻；平台系统主要用于观察和分析受力过程中发生的微观结构变化。扫描电镜结合其他设备的新分析功能，在新材料、新工艺的探索和研究中发挥着重要作用。如果将扫描电子显微镜和扫描隧道显微镜结合起来，可以将普通的扫描电子显微镜升级为高分辨率的扫描电子显微镜。
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