抛光时间。要得到好的抛光效果，就需要花费一定的时间。若抛光时间太短，只能获得没有光泽的梨皮状表面。若时间过长，不仅溶解损失增大，而且加工表面会出现污点或斑点。因此存在着一个适当的时间范围，它受材料、抛光液的组成及抛光温度等因素的影响，通常难以预测，除用实验测定外，没有其他方法。化学抛光中往往产生氢气，这是抛光具有氢脆敏感性材料时必须注意的问题。另外，抛光液温度高达100～200
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抛光时间。要得到好的抛光效果，就需要花费一定的时间。若抛光时间太短，只能获得没有光泽的梨皮状表面。若时间过长，不仅溶解损失增大，而且加工表面会出现污点或斑点。因此存在着一个适当的时间范围，它受材料、抛光液的组成及抛光温度等因素的影响，通常难以预测，除用实验测定外，没有其他方法。化学抛光中往往产生氢气，这是抛光具有氢脆敏感性材料时必须注意的问题。另外，抛光液温度高达100～200℃时，还会产生退火作用。为了把氢脆和退火作用的影响减小到，就必须在适宜的温度范围内选择尽可能短的抛光时间。
后处理化学抛光后处理钢铁零件化学抛光，可以作为防护装饰性电镀的前处理工序，也可以作为化学成膜如磷化发兰的前处理工序。如不进行电镀或化学成膜，而直接应用，可喷涂氨基清漆或清漆，烘干后有较好的防护装饰效果。若喷漆前浸防锈钝化水剂溶液，抗蚀防护性将会进一步提高。准备工作工具：抛光机、羊毛盘、海绵盘、超细纤维布、遮蔽膜、遮蔽胶带。材料：砂纸、抛光粗蜡，镜面蜡抛光作用：去除油漆表面氧化层、浅层的划痕、氧化造成的漆面失光等影响漆面外观的问题。抛光用力原则：初始抛光时使用中等偏上压力,使蜡有较好的切削力,后续收光可放松压力;抛光面积以一臂距 离为准，抛光完毕后及时擦除残余蜡斑。
含量控制.采用磷酸基化学抛光槽液时,含量应控制在规定的范围内,通常按照化学分析结果调整,特别要掌握添加的规律,并安全操作.有经验的化学抛光操作人员,可以从化学抛光表面光亮度判明含量,通常,的消耗量为化学抛光槽液消耗量的1%~2%（体积分数）.若不及时补加,铝合金型材表面会出现光亮度不足等现象.如果含量太低,可以看到化学抛光后的铝合金型材光亮度不满意或看到细小的白色附着物斑点等缺陷.若含量太高,可能出现浅蓝色至橙色彩虹膜.
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
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