ABS10
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ABS10芯片尺寸都是50MIL，它的电性参数是：正向电流（Io）为1.0A，反向电压为1000V，正向电压（VF）为1.1V，采用GPP芯片材质，里头有4个芯片，它的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流（Ir）为5uA、工作温度在-40~+150℃，里面引线数量有4条。
ASEMI的ABS10内部采
大芯片整流桥堆参数封装
ABS10
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ABS10芯片尺寸都是50MIL，它的电性参数是：正向电流（Io）为1.0A，反向电压为1000V，正向电压（VF）为1.1V，采用GPP芯片材质，里头有4个芯片，它的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流（Ir）为5uA、工作温度在-40~+150℃，里面引线数量有4条。
ASEMI的ABS10内部采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防电性衰降， 每一颗芯片的尺寸都足足有50MIL，虽然说依照产业标准生产出来的ABS10电性参数都是正向电流1.0A。
大芯片整流桥堆参数封装LX10M
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整流桥LX10M 电性参数：1A ,50~1000V；采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防电性衰降，镭射激光打标，不易褪色；环氧树脂塑封，绝缘稳定性好，框架引脚采用无氧铜材料，内阻小导电性好，镀锡防氧化。LX10M：100K/箱 箱体材质：牛皮纸 耐压抗冲击；5000/盘,1K/盒。
ASEMI贴片小体积整流桥LX10M，它性能主要源于内部采用的GPP芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，辅以50MIL规格尺寸的芯片，提高4颗芯片的一致性和高可靠性能够保证LX10M的输出电流和反向耐压持续稳定，保证LX10M在投入使用中的稳定性能。
ASEMI整流桥KBPC610
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ASEMI生产的整流桥KBPC610用于国内电磁炉的生产。在工艺上:整流桥制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备,全程工艺由电脑控制，模具更为精密避，外观光滑自然美观。主要参数规格：6A 1000V；芯片采用台湾进口玻峰GPP镀金工艺芯片,台湾健鼎一体化设备测试线，减少人工操作环节,同时检测Vb、Io、If、Vf、Ir等12个参数经过6道检测更是打破业界测试标准。
整流桥选择ASEMI台湾GPP大芯片整流桥，有良好的散热效果，性能优越效率突出，损耗较小，是强元芯供应的产品之一。ASEMI产品测试优良。ASEMI专注整流桥生产12年，为您提供服务、品种的整流桥产品。
ASEMI整流桥KBU810
ASEMI整流桥KBU810，是一款功率元器件，广泛应用于电子领域，主要应用于L小家电整流上，充电器线路板等各种电子设
