选用低能电子束,样品不用镀膜,可直接观察样品的形貌和成分衬度选用低加速电压，即意味着使用低能电子束，入射样品后受到散射的扩散区域小，相互作用区接近表面，有利于表面形貌成像。常规加速电压观察半导体或绝缘体时，样品必须镀导电膜，这时形貌衬度是成像衬度，膜层完全掩盖了样品不同元素出射电子产率的变化，不能观察到样品的成分衬度。选用低能电子束，样品不用镀膜，可直接观察样品的形貌和成分
FIB电镜制样费用
选用低能电子束,样品不用镀膜,可直接观察样品的形貌和成分衬度
选用低加速电压，即意味着使用低能电子束，入射样品后受到散射的扩散区域小，相互作用区接近表面，有利于表面形貌成像。常规加速电压观察半导体或绝缘体时，样品必须镀导电膜，这时形貌衬度是成像衬度，膜层完全掩盖了样品不同元素出射电子产率的变化，不能观察到样品的成分衬度。选用低能电子束，样品不用镀膜，可直接观察样品的形貌和成分衬度，充分反映出材料的原貌。
对于某些导电性差的材料，如半导体、集成电路、印制板、电脑零件、纸张、纤维、或者含水的动植物样品，要求直接观察微观形貌，使用常规高真空（High vacuum，HV）成像受到限制，应该使用VP（Variable pressure，可变压力模式）或EP（Extend pressure，扩展压力模式）成像技术。
若需要用能谱或波谱仪来作成分分析的样品,蒸镀碳膜
若需要用能谱或波谱仪来作成分分析的样品，蒸镀碳膜。碳为超轻元素，碳膜对射线吸收小，而且增加的谱峰也仅有一个碳的K锋，对定量分析结果的影响也小。蒸碳时通常会用高真空的碳镀膜仪，需要注意的是蒸碳时对镀膜仪的真空度要求高，碳棒点燃时的温度也高，会有高温热辐射，对有机高分子和生物等不耐热的样品容易引起灼伤。所蒸的碳膜要均匀，膜厚控制在10~15 nm之间，对于凹凸起伏严重的样品，所镀的膜层应适当增加到15~20 nm。
扫描电子显微镜通常至少有一个检测器
扫描电子显微镜通常至少有一个检测器（通常是二次电子检测器SEI），许多还配备了额外的检测器，如EDS、BSE、WDS、EBSD、CL等，但具体仪器的特殊功能强烈依赖于一个合适的检测器，检测器的安装角度是样品分析室的设计，对分析效果有很大的影响。深入了解各种功能机制，可以获得佳的电子显微镜分析质量。
低倍数下有了较为清晰图像后。将倍数放大至大于要拍摄倍数后（比如要拍摄1000倍，放大至5000或10000），将"平均"点数切换至5，然后将光标放至"聚焦微调"圆钮上，缓慢滚动滚轮，调整至图像清晰位置。然后切换至"镜组配置"，依次调整四个"消像散"条，至图像清晰为止。
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