而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。21世纪展现良好发展前景的纳米技术，贵金属由于它们的优异的物理化学性能，资源的稀缺性以及在已知的传统产业领域的不断扩大应用和在未知领域的不断开拓探索，成为纳米技术早和相当重要的研究对象之一。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚
贵金属复合材料加工
而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。21世纪展现良好发展前景的纳米技术，贵金属由于它们的优异的物理化学性能，资源的稀缺性以及在已知的传统产业领域的不断扩大应用和在未知领域的不断开拓探索，成为纳米技术早和相当重要的研究对象之一。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。
为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
由于具有的物理化学性能，当代科学技术的飞速发展，将会越来越多的应用于国民经济中的航空、航天、航海、火箭、原子能、微电子技术等高科技领域及石油化工、化学工业、汽车尾气净化等与人类生活息息相关的领域，并在众多的应用领域中起着关键的的作用，因此被誉为“首要高技术金属”、“现代工业的维生素”“现代新金属”，发达的长期以来一直把视为“战略性物质”。采用连续硫化法时，在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布，这可能会影响电子导电性填充剂的分散。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。背靶的选择对材质的要求：一般选用无氧铜和钼靶，厚度在3mm左右导电性好：常用无氧铜，无氧铜的导热性比紫铜好。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。
在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。
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