压敏电阻：它是以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻，当作用在其两端的电压达到一定数值后，电阻对电压十分敏感。它的工作原理相当于多个半导体P-N的串并联。压敏电阻的特点是非线性特性好（I=CUα中的非线性系数α），通流容量大（～2KA/cm2），常态泄漏电流小（10-7～10-6A），残压低（取决于压敏电阻的工作电压和通流容量），对瞬时过电压响应时间快（～10-8s），无续
40/G-电源电涌保护器
压敏电阻：它是以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻，当作用在其两端的电压达到一定数值后，电阻对电压十分敏感。它的工作原理相当于多个半导体P-N的串并联。压敏电阻的特点是非线性特性好（I=CUα中的非线性系数α），通流容量大（～2KA/cm2），常态泄漏电流小（10-7～10-6A），残压低（取决于压敏电阻的工作电压和通流容量），对瞬时过电压响应时间快（～10-8s），无续流。压敏电阻的技术参数主要有：压敏电压（即开关电压）UN，参考电压Ulma；残压Ures；残压比K（K=Ures/UN）；大通流容量Imax；泄漏电流；响应时间。压敏电阻的使用条件有：压敏电压：UN≥[（√2×1.2）/0.7]U0（U0为工频电源额定电压）小参考电压：Ulma≥（1.8～2）Uac （直流条件下使用）Ulma≥（2.2～2.5）Uac（在交流条件下使用，Uac为交流工作电压）压敏电阻的大参考电压应由被保护电子设备的耐受电压来确定，应使压敏电阻的残压被保护电子设备的而损电压水平，即（Ulma）max≤Ub/K，上式中K为残压比，Ub为被保护设备的而损电压。
2.8标称放电电流In用来划分SPD等级，具有8/20u s或10/350u s模拟雷电流冲击波的放电电流。Imax= 2~ 3 In。2.9持续工作电流Ic在大持续工作电压U c下保护模式过的电流，实际上是各保护元件及与其并联的内部辅助电路流过的电流之和。为避免过电流保护设备或其它保护设备(如RCD)不必要动作，Ic值的选择非常有用。在正常状态下，Ic应不会造成任何人身安全危害(非直接接触)或设备故障(如RCD)。一般情况下对RCD, Ic应小于额定残压电流值( I△n)的1/3.2.10以上是选择SPD时所要考虑的几种主要的参数，可以通过图1来具体比较几种电压之间的关系：图1Up Un和Uc相关曲线
电涌保护器的类型和结构按不同的用途有所不同，但它至少应包含一个非线性电压限制元件。用于浪涌保护器的基本元器件有：放电间隙、充气放电管、压敏电阻、抑制二极管和扼流线圈等。
主要用于低压配电系统中瞬态过电压的防护。瞬态过电压是指在电路中叠加到系统标称电压上的一种剧烈脉冲，幅值可达到标称电压的数十倍，持续时间极短，一般包括雷电过电压和操作过电压。比如当雷电落在建筑物或者建筑物附近以及输电线路，会侵入或感应出数十千伏的瞬态过电压，并沿着线路侵入配电回路而损坏电气电子设备，为了保护电气电子设备免遭雷击过电压的损坏，低压配电系统必须安装电涌保护器。
6)在危险场所使用的SPD应具有防爆功能
(7)在考虑各设备之间的过电压保护水平Up时，若线路无屏蔽时尚应计及线路的感应电压，在考虑被保护设备的耐冲击过电压水平时直按其值的80%考虑
(8)在供电电压超过所规定的10%及谐波使电压幅值加大的场所，应根据具体情况对氧化锌压敏电阻SPD提高Uc值。
(9)当设有信息系统的建筑物需加装SPD保护时，若该建筑物没有装设防直击雷装置和不处于其他建筑物或物体的保护范围内时，直按第三类防雷建筑采取防直击雷的措施。在要考虑屏蔽的情况下，防直击雷接闪器直采用避雷网。
（作者： 来源：）
