碳化硅是人工采用化学沉淀法（CVD）合成的，天然是不存在的，因为其也是原子晶体而且晶体结构和钻石很接近所以和成品中较好的被用作仿钻，而且可以做出各种颜色，商业上叫做莫桑钻、莫桑石、莫伊桑石等，不好的也可以作为工业用途。碳化硅是当前发展成熟的宽禁带半导体材料，对碳化硅的研究很重视，美欧日等不仅从层面上制定了相应的研究规划，碳化硅材料可应用于功能陶瓷、耐火材料、冶金原料等应
炼钢渣面复合脱氧剂
碳化硅是人工采用化学沉淀法（CVD）合成的，天然是不存在的，因为其也是原子晶体而且晶体结构和钻石很接近所以和成品中较好的被用作仿钻，而且可以做出各种颜色，商业上叫做莫桑钻、莫桑石、莫伊桑石等，不好的也可以作为工业用途。碳化硅是当前发展成熟的宽禁带半导体材料，对碳化硅的研究很重视，美欧日等不仅从层面上制定了相应的研究规划，碳化硅材料可应用于功能陶瓷、耐火材料、冶金原料等应用领域。
碳化硅（SiC)为共价键化合物。碳化硅晶体结构中的单位晶胞是由相同四面体构成的，主要晶型是α-型和β-型两种。α-SiC为高温稳定型，β-SiC为低温稳定型。β-SiC向α-SiC转变的温度始于2100℃,但转变速率很小。在0. 1MPa压力下分解温度为2380℃,不存在熔点。稳定性较好。在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蚀。SiC同硅酸在高温下也不发生反应，故具有抵抗酸性熔渣的良好性能。SiC同石灰在525度开始反应，在1000度附近反应显著，与氧化铜的反应在800度已强烈进行。
碳化硅解决的问题：LF炉处理周期较短，基本控制在50min以内，且通常需在前30min内将炉渣成分调整到位，成白渣，尽快完成脱氧、脱硫、去除夹杂物等精炼任务，从而提高钢水洁净度。但由于渣样从取出冷却、送样、碾磨、分析直至结果全过程至少需耗时10min以上，从而造成LF炉精炼过程中调渣时间过长、白渣有效精炼时间不够、精炼周期较长等现象，因而仅根据渣样化验结果来调渣并不能满足生产需要。
这些夹杂物通常具有一些特定的形态，例如氧化铝通常为点簇状，而通过碰撞、聚集等又可进一步形成三维点簇状。而65碳化硅夹杂物通常为球形或者聚集成点族状等。为了地除去杂质，传统高纯钢的炼钢流程是：转炉吹氧冶炼、底吹钢包精炼、VD炉真空脱气、连铸拉圆坯，但这些流程步骤都可在炼制过程中产生大量的硅类和铝类氧化物，需要在后续工艺中将这些铝类和硅类氧化物加以去除，但另一方面，此种去除的代价非常高昂，而且只能除去部分杂质而非全部。
（作者： 来源：）
