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柔性薄膜晶体管的光子剥离工艺
在塑料上制造柔性电子产品通常受到聚合物基板尺寸稳定性差的限制。为了减轻影响，在制造过程中使用了玻璃载体，但在不损坏电子设备的情况下从载体上移除塑料基板仍然具有挑战性。在这里，我们利用、高通量光子剥离 (PLO) 工艺将聚合物薄膜与刚性载体分离。PLO 使用来自闪光灯的
保证交期全新TI/逻辑芯片生产
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柔性薄膜晶体管的光子剥离工艺
在塑料上制造柔性电子产品通常受到聚合物基板尺寸稳定性差的限制。为了减轻影响，在制造过程中使用了玻璃载体，但在不损坏电子设备的情况下从载体上移除塑料基板仍然具有挑战性。在这里，我们利用、高通量光子剥离 (PLO) 工艺将聚合物薄膜与刚性载体分离。PLO 使用来自闪光灯的 150 μs 宽带光脉冲从涂有光吸收层 (LAL) 的玻璃载体基板上剥离功能性薄膜。建模表明聚合物/LAL 界面在 PLO 期间达到 800 °C 以上，但 PI 的顶面保持在 120 °C 以下。在聚酰基板上制造铟锌氧化物 (IZO) 薄膜晶体管 (TFT) 阵列，并以光子方式从玻璃载体上剥离。PLO 未改变 TFT 迁移率。柔性 TFT 机械坚固，弯曲时不会降低移动性。
中高功率应用宽带隙半导体开关器件驱动电路综述
“宽带隙（WBG）基于氮化（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）和碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的基于宽带隙（WBG）的转换装置被认为是非常有前途的候选者更换用于各种电源转换应用的传统硅（SI）MOSFET，主要是因为它们具有更高开关频率的能力，具有较少的开关和导通损耗。然而，为了充分利用它们的优势，了解WBG和Si的开关装置之间的内在差异并对WBG设备进行安全，有效地和可靠地研究有效手段至关重要。本文旨在为电力工程领域提供工程师了解WBG切换设备的驾驶需求，特别是对于中到高功率应用。首先，探讨了WBG开关装置的特性和操作原理及其在特定电压范围内的商业产品。接下来，寻址关于WBG交换设备的驱动电路设计的考虑，探索设计用于WBG交换设备的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“ 探索为WBG交换设备设计的商业驱动程序。后，介绍了关于典型关于在中到高功率应用中的WBG交换设备的驾驶技术的综述。“
EUV光刻用薄膜的电阻率和发射率研究
汉阳大学和德克萨斯大学达拉斯分校的新技术。
“薄膜是一种薄膜结构，可保护极紫外 (EUV) 掩模在曝光过程中免受污染。然而，由于极紫外光子的吸收，其有限的透射率会引起不必要的加热。EUV薄膜的可以通过提高其热稳定性来避免，这是通过提高薄膜的发射率来实现的。然而，薄膜的发射率数据在文献中并不容易获得，其值对厚度非常敏感。因此，我们研究了发射率对结构参数的依赖性，例如厚度、表面粗糙度和晶粒尺寸。我们使用理论和实验方法发现了电阻率和发射率之间的相关性。通过改变Ru薄膜的晶粒尺寸，使用 Lorentz-Drude 模型对电阻率和发射率之间的关系进行了实验验证和确认。后，我们提出了一种开发具有更好热稳定性的 EUV 薄膜的方法，该薄膜可以承受高功率 EUV 光源。”
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