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在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
肖特基二极管特性
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在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
ASEMI肖特基二极管新品介绍——
SBD的主要优点包括两个方面:
1)由于肖特基势垒高度PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
根据万用表示数分析，肖特基二极管测试结论如下（其中①②③为肖特基二极管自左而右的三只引脚编码）:
一，根据①-②、③-②间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。
二，因①-②、③-②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。
三，内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V，均手册中给定的允许值VFM(0.55V)。
【ASEMI讲解肖特基二极管的命名】
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，
完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR），
也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。
肖特基：Schottky
整流：Rectifier
SR:即为肖特基整流二极管
Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管，简称：SR,比如：SR107,SR10100CT……
势垒：Barrier
SB:即为肖特基势垒二极管
肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…
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