编辑：TH
整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相
电源三相整流桥台产芯片
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整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，恢复时间快达500ns。
：ASEMI
封装：D-63
特性：单相整流方桥
电性参数：50A1000V
芯片个数：5
浪涌电流Ifsm：500A
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：500ns
引线数量：5
MT5010的电性参数：正向平均电流50A；反向峰值电压1000V
MT5016的包装方式：100/盒，500/箱
整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用
26MT120 MT 系列 1200V25A
三相 桥式功率模块
D-63封装
制造商ASEMI
标准包装 20/盒装
优势特点：
1. 玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
2. 镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
3. 5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压可重复利用
应用范围：
电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品
三相桥式全控整流电路，共阴极组和共阳极组同时控制，控制角为alpha；。由于三相桥式整流电路是由两组三相半波电路串联而成，其整流电压是三
相半波电路的两倍。显然，当输出电压相同时，三相桥式晶闸管所需的反向电压可比三相半波线路所需的反向电压低一半。为了便于分析，三相全控
桥的6个晶闸管的触发顺序为1-2-3-4-5-6。晶闸管编号如下：晶闸管KP1、KP4接a相，kp3、kp6接B相，kp5、KP2接C相，KP2、KP4、kp6组成共阳极组
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