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正负光刻胶的主要区别在于材料的化学结构和光刻胶对光的反应方式。对于正光刻胶，暴露在紫外线下的区域会改变结构，变得更容易溶解，从而为刻蚀和沉积做好准备。负光刻胶恰恰相反，受光照射的区域会聚合，使其更难溶解。正光刻胶常用于半导体制造，因为它能达到更高的分辨率，从而成为光刻阶段更好的选择。如今，世界上许多公司生产半导体制造的
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正负光刻胶的主要区别在于材料的化学结构和光刻胶对光的反应方式。对于正光刻胶，暴露在紫外线下的区域会改变结构，变得更容易溶解，从而为刻蚀和沉积做好准备。负光刻胶恰恰相反，受光照射的区域会聚合，使其更难溶解。正光刻胶常用于半导体制造，因为它能达到更高的分辨率，从而成为光刻阶段更好的选择。如今，世界上许多公司生产半导体制造的光刻胶。
光线通过掩模板投射到晶圆上，光刻机的光学系统（DUV系统的透镜）缩小了掩模板上设计的电路图案，并将光刻胶聚焦在晶圆上。正如前面提到的，当光线照射到光刻胶上时，会发生化学变化，并将掩模板上的图案印在光刻胶涂层上。光刻在芯片制造过程中非常重要，因为它决定了芯片上的晶体管可以有多小。在这个阶段，晶圆将被放入光刻机中，并暴露在深紫外线（DUV）下。大多数时候，它们比沙粒小几千倍。
集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管电阻电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化低功耗智能化和高可靠性方面迈进了一大步。
电源管理半导体本中的主导部分是电源管理IC，大致可归纳为下述8种。电源管理IC分类在某种程度上来说，正是因为电源管理IC的大量发展，功率半导体才改称为电源管理半导体。也正是因为这么多的集成电路(IC进入电源领域，人们才更多地以电源管理来称呼现阶段的电源技术。脉冲调制或脉幅调制PWM/PFM控制IC，为脉冲频率调制和/或脉冲宽度调制控制器，用于驱动外部开关；功率因数控制PFC预调制IC，提供具有功率因数校正功能的电源输入电路；DC/DC调制IC，包括升压/调节器，以及电荷泵；AC/DC调制IC，内含低电压控制电路及高压开关晶体管；
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