镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响
靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。
靶功率；磁控溅射本身粒子初始动能比较小，离化率低，电源功率越大，溅射出的粒子的初始能量越大，靶材溅射量
LED灯反光杯镀膜加工
镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响
靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。
靶功率；磁控溅射本身粒子初始动能比较小，离化率低，电源功率越大，溅射出的粒子的初始能量越大，靶材溅射量也越大，沉积速率越快，膜层容易上厚度和硬度，同时工件温升也大，过高的功率会使沉积速率太快，粒子来不及表面迁移和扩散，易形成阴影效应，膜层会比较疏松，应力较大。这类镀膜剂所标称的耐久性也仅相当于树脂涂层的耐久性，根本无法与不会学化的纯无机糖瞄相捏并论。
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真空镀膜的形式：蒸发镀膜
工艺原理：
4）沉积原子之间产生两维碰撞，形成簇团，有的在表面停留一段时间后再蒸发；
5）原子簇团与扩散原子相碰撞，或吸附单原子，或放出单原子，这种过程反复进行；
6）当原子数超过某一临界值时就变为稳定核，再不断吸附其他扩散原子而逐步长大，后与邻近稳定核合并进而变成连续膜。
普通真空镀膜时，蒸发料粒子大约只以一个电子伏特的能量向工件表面蒸镀，在工件表面与镀层之间，形成的界面扩散深度通常仅为几百个埃（10000埃=1微米=0.0001厘米）。特别是透明导电玻璃目前广泛应用于平板显示器件、太阳能电池、微波与射频屏蔽装置与器件、传感器等。而离子镀时，蒸发料粒子电离后具有三千到五千电子伏特的动能。当其高速轰击工件时，不但沉积速度快，而且能够穿透工件表面，形成一种注入基体很深的扩散层，离子镀的界面扩散深度可达四至五微米，也就是说比普通真空镀膜的扩散深度要深几十倍，甚至上百倍，因而彼此粘附得特别牢。
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