编辑：DD
ASEMI新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为(Si)或(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N-
肖特基二极管厂家
编辑：DD
ASEMI新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为(Si)或(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。
如何判断一只肖特基二极管的好坏呢？应该如何检测呢？下面一起为大家讲解一下。
通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括:①识别电极;②检查管子的单向导电性;③测正向导压降VF;④测量反向击穿电压VBR。
被测管为常见的to-220封装肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照正面(字面朝向人)从左至右顺序编上序号①、②、③。然后选择500型万用表的R×1档进行测量，通断电可显示不同示数，根据示数就可以判断这款肖特基二极管的好坏了。
关于 ASEMI肖特基二极管 的封装
通过型号识别封装外形：
MBR10100:TO-220AC,单芯片，两引脚，
MBR10100CT:TO-220AB,双芯片，三引脚，型号后缀带CT
MBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、贴片。
型号前面四个字母B,代表TO-263,国际通用命名。双芯片，三引脚，型号后缀带CT
MBRD1045CT:TO-252（DPAK）、贴片。
MBRD与MBRB都是贴片，D:TO-252,B:TO-263.
MBR3045PT:TO-3P,型号后缀"PT"代表TO-3P封装，
原MOTOROLA现叫做SOT-93
SD1045:D表示TO-251
MURF1060CT 强元芯ASEMI核芯动力 快恢复实力彰显！
采用了台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节，同时检测Vb、Io、If、Vf、Ir等12个参数经过6道检测。更是打破业界测试标准，将漏电流有5uA加严到2uA以内；正向压降Vf由1.0V加严到0.98V即单颗管芯VF控制在0.49V以内。其采用俄罗斯进口晶圆Mikron米克朗芯片，具有高抗冲击能力，电性能稳定，可信赖度佳。
（作者： 来源：）
