东阳低压降肖特基二极管「强元芯电子」

ASEMI肖特基二极管BD10100CT 编辑：L ASEMI肖特基二极管BD10100CT 电性参数:10A，100V，其封装为TO-251封装，是一款80％采用俄罗斯米克朗（Mikron）高抗冲击能力芯片及20％采用国内的SCHOTTKY生产厂家立昂（Lion）芯片为基材的肖特基二极管，从根本上保证了其效率稳定持续工作的性能，而其黑胶部分采用进口环氧塑脂材
低压降肖特基二极管


ASEMI肖特基二极管BD10100CT

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ASEMI肖特基二极管BD10100CT 电性参数:10A，100V，其封装为TO-251封装，是一款80％采用俄罗斯米克朗（Mikron）高抗冲击能力芯片及20％采用国内的SCHOTTKY生产厂家立昂（Lion）芯片为基材的肖特基二极管，从根本上保证了其效率稳定持续工作的性能，而其黑胶部分采用进口环氧塑脂材质，加强了它的包封性能和阻燃性能；在引脚及框架方面，更是采用无缝焊接技术加粗设计，使其拥有更强的减少氧化、抗弯曲和导电性能，如此多的优越材质集一身，怎能不耀眼呢？














MBR10200FCT肖特基二极管台湾ASEMI


MBR10200FCT肖特基二极管台湾ASEMI，本产品采用俄罗斯进口Mikron芯片，电性参数为10A200V,内含芯片个数有2个，芯片尺寸达86MIL，工作温度为-40℃-170℃。有3条引脚，两边脚输入，中间脚输出。ASEMI肖特基二极管全部进口技术的芯片材料，从根本上保证产品的性能，内置芯片全部是耐高抗冲击的技术要求，确保开机瞬间的大电流与电路电压叠加等因素影响时依然能正常工作。












台湾ASEMI肖特基二极管MBR30100DC

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台湾ASEMI肖特基二极管MBR30100DC全部采用俄罗斯Mikron扩散高抗击芯片，内置122Mil大规格整流芯片；确保平均输出30A的电流；反向耐压值达到100V；反向恢复时间5ns。封装为TO-263封装，MBR30100DC的铜材质镀锡引脚与的SIO2塑封硅胶，台资工厂封装测试。






















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