碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂，1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法，也就是大家常说的艾奇逊炉，一直沿用至今，以碳质材料为炉芯体的电阻炉，通电加热石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。关于碳化硅的几个事件1905年 次在陨石中发现碳化硅。1907年 只碳化硅晶体发光二极管诞生。1
黑碳化硅供应
碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂，1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法，也就是大家常说的艾奇逊炉，一直沿用至今，以碳质材料为炉芯体的电阻炉，通电加热石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。关于碳化硅的几个事件1905年 次在陨石中发现碳化硅。1907年 只碳化硅晶体发光二极管诞生。1955年 理论和技术上重大突破，LELY提出生长碳化概念，从此将SiC作为重要的电子材料。1958年 在波士顿召开次世界碳化硅会议进行学术交流。
碳化硅厂家生产的碳化硅为什么是第三代半导体重要的材料呢？
一、碳化硅器件的优势特性
碳化硅（SiC）是目前发展成熟的宽禁带半导体材料，对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
二、与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
1、高压特性
碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。
2、高频特性
3、高温特性
碳化硅可用做炼钢的脱氧剂和铸铁组织的改良剂，碳化硅可用做制造的原料，碳化硅是硅树脂工业的主要原料。碳化硅脱氧剂是一种新型的强复合脱氧剂，碳化硅取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧，碳化硅和原工艺相比各项理化性能更加稳定，脱氧效果好，碳化硅使脱氧时间缩短，节约能源，提高炼钢效率，提高钢的质量，碳化硅还能降低原辅材料消耗，减少环境污染，改善劳动条件，碳化硅对提高电炉的综合经济效益都具有重要价值。
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