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肖特基二极管是以其发明人华特肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管。
从诞生之初，肖特基二极管就注定了其不平凡的一生，从低频到高频，从高损耗到低损耗，肖特基二极管在其发展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世纪延续了这个不平凡，将高频率
肖特基二极管参数
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肖特基二极管是以其发明人华特肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管。
从诞生之初，肖特基二极管就注定了其不平凡的一生，从低频到高频，从高损耗到低损耗，肖特基二极管在其发展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世纪延续了这个不平凡，将高频率低耗损环保节能的产品引入并发展！
ASEMI肖特基二极管与快恢复二极管有什么区别
这是两种工艺的芯片技术，势垒工艺肖特基二极管频率比平面硅片的快恢复二极管更高，TRR参数只几nS,基本忽略，正向导通电压低，只零点几伏（低自身功耗），但点压不高，一般只能做到200V，现在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的参数需求可以详询ASEMI在线客服。
什么是肖特基二极管？有何特点意义？
SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用恢复外延二极管（FRED）和超恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
MUR2060CTR产品参数与整流原理图
“阳”指的是正极、正向电流或者指输入，“共阳”意味着共用一条引线作为输入端。MUR2060CTR是共阳管，就表明这个型号的快恢复二极管的输入正向电流是共用一条引线的。由下图可知，MUR2060CTR采用的是TO-220封装，有3条引脚，即引线；共用的一条引线为中间的引脚，因此电流方向是两段输出，中间输入的。
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