碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能化。碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为常见的一种同质异晶物，在高于2000 °C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在2000 °C生成，结构如页面附图所示。
众所周知碳化硅具有
碳化硅厂家
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能化。碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为常见的一种同质异晶物，在高于2000 °C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在2000 °C生成，结构如页面附图所示。
众所周知碳化硅具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、性能好等良好的物理性能和化学性能，常用作材料、结构陶瓷、耐火材料和金属冶金等传统领域中。正由于碳化硅具有高的高温强度、高硬度、高性、高耐腐蚀性和特殊的物理性能等特点，广泛应用于陶瓷材料，耐火材料和金属冶金等领域中。碳化硅除作磨料用外，还有很多其他用途。例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。
碳化硅厂家生产的碳化硅为什么是第三代半导体重要的材料呢？
一、碳化硅器件的优势特性
碳化硅（SiC）是目前发展成熟的宽禁带半导体材料，对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
二、与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
1、高压特性
碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。
2、高频特性
3、高温特性
1、碳化硅是什么？ 碳化硅是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。碳化硅存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。4H-碳化硅适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。
2、碳化硅有什么用？ 以碳化硅为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平成熟，应用广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了的材料、器件和应用产业链。是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。
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