洁净室中的温湿度控制
洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来
无尘室设备
洁净室中的温湿度控制
洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100
um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超过25度，湿度过高产生的问题更多。近几年来，由于技术之发展，对于产品的高精密度化、细小型化之需求更为迫切，如超大型积体电路之研究制造，已成为在科技发展上极为重视的项目，而我公司的设计理念及施工技术在行业中则处于领1先地位。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以清除。相对湿度越高,粘附的越难去掉，但当相对湿度30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产湿度范围为35—45%。
净化工程气压规定：
对于平行流洁净室《习惯上称层流洁净室)，由于主要靠气流的“活塞打挤压作用排除行染，所以截面上的速度就是非常重要的指标。15个平米大的小温室怎么控制温湿度可以设定温度是25度(可任意设定)这个温度启动加热系统回滞设定10(可任意设定)加热系统加热到25+10=35度的时候就自动停止。过去都参考美国20gB标准，采用0.45m/s.但人们也都了解到这样大速度所需要的通风量是极大的，为了节能，也都在探求降低风速的可行性。在我国，《空气洁净技术措施》和(洁净厂房设计规范)都是这样规定的垂直平行流(层流)洁净室≥0.25m/s水平平行流(层流)洁净室≥0.35
m/s
净化技术的设备发展
净技术专门研究并提供洁净的生产工艺环境和生产过程中使用的各种高纯介质，有效地控制微量杂质，以保证高科技产品的成品率和可靠性。洁净技术通常包括：空气净化技术、空调技术、水纯化技术、气体纯化技术、微量杂质控制技术、洁净环境的监测技术及相关的环境质量的控制技术。细菌和其他生物污染（霉菌，病毒，真菌，螨虫）在相对湿度超过60%的环境中可以活跃地繁殖。净化工程技术在电子、核子、航空航天、生物工程、制药、精密机械、化工、食品、汽车制造等高科技工业领域及现代科学领域中得到广泛应用。
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