电源供应装置通过一升降机构安装在机座上并与控制装置电连接；采用连续式硫化法的情况下，不会有因切去加压成形产生的毛边或一般的挤压处理和在硫化处理槽内进行处理时橡胶管两端翘起的部分而导致的橡胶浪费，另外能够缩短制造时间和减少人工费用，因此能够降低辊筒的制造成本，从这些方面考虑，此方法优于间歇式硫化法。所述整体测量机构包括一安装在机座上的驱动电机、一连接在驱动电机上的传动轴及一安
纯铂靶材技术
电源供应装置通过一升降机构安装在机座上并与控制装置电连接；采用连续式硫化法的情况下，不会有因切去加压成形产生的毛边或一般的挤压处理和在硫化处理槽内进行处理时橡胶管两端翘起的部分而导致的橡胶浪费，另外能够缩短制造时间和减少人工费用，因此能够降低辊筒的制造成本，从这些方面考虑，此方法优于间歇式硫化法。所述整体测量机构包括一安装在机座上的驱动电机、一连接在驱动电机上的传动轴及一安装在传动轴的一端的接地端；所述择点测量机构包括一安装在机座上的第二驱动电机、一对安装在所述第二驱动电机上的第二传动轴、一安装在机座上并与所述第二传动轴平行的滑轨及若干安装在滑轨上的测点探针。
超纯金属的制备有化学提纯法如精馏（特别是金属氯化物的精馏及氢还原）、升华、溶剂萃取等和物理提纯法如区熔提纯等（见硅、锗、铝、铟）。其中以区熔提纯或区熔提纯与其他方法相 结合有效。
由于容器与药剂中杂质的污染，使得到的金属纯度受到一定的限制，只有用化学方法将金属提纯到一定纯度之后，再用物理方法如区熔提纯，才能将金属纯度提到一个新的高度。可以用半导体材料锗及超纯金属铝为例说明典型的超纯金属制备及检测的原理（见区域熔炼）。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好，但设备投入高，生产成本高，产品的缺氧率高。
精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级（10克/克）、毫微克级（10克/克）、微微克级（10克/克）杂质的确定。
制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。
人类社会的存在，科学技术的进步和发展，已成为21世纪首要的战略储备物资，且与各国的政治经济和社会发展有着息息相关的紧密联系，在已知的传统产业和应用领域中，高纯材料、合金、各种深加工的制品（半成品）及化学制品，已被广泛应用到冶金钢铁，石油化工，有机化工，化工，电子电器，汽车制造，光学玻璃，玻璃纤维。在传统产业的应用领域中，对于贵金属的需求也随着这些产业的兴衰而出现此起彼落此消彼长，甚至出现行业的淘汰而与贵金属无缘，例如照相用胶卷。
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