在半导体领域的应用：碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多的优异性能和更加广泛的应用前景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。第三代半导体材料即宽禁带半导体材料，又称高温半导体材料，主要包括碳化硅、氮化、氮化铝、氧化锌、金刚石等。
这类材料具有宽的禁带宽度、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点，适用
黑色碳化硅
在半导体领域的应用：碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多的优异性能和更加广泛的应用前景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。第三代半导体材料即宽禁带半导体材料，又称高温半导体材料，主要包括碳化硅、氮化、氮化铝、氧化锌、金刚石等。
这类材料具有宽的禁带宽度、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第三代半导体材料凭借着其优异的特性，未来应用前景十分广阔。碳化硅可用于单晶硅、多晶硅、钾、石英晶体等、太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。
两年以来，碳化硅在铸造生产上的使用已经比较多了，根据大家使用的情况来看，效果是比较好的，特别是熔炼中，增加石墨核心，提高球铁的石墨球数，改善灰铁的石墨形态都非常有益。碳化硅的使用在国外比较广泛，不管是电炉还是冲天炉，都加入此种物质。
由于碳化硅的熔点很高，在2700度左右，那么在我们普通铸造生产的炉子里面，不可能有这么高的温度，所以说，在我们铸造熔炼温度下，碳化硅的溶解时熔融状态逐渐分解的，扩散的，比较慢，所以在炉内加入碳化硅的时间应该比其他合金早一些，一般在炉料熔炼到炉内三分之一到一半时加入，让其有充分的温度，时间条件去分解。
高温下的碳化硅材料合成材料有包括碳化硅电极、碳化硅模具和碳化硅制品三种，这三种材料中的碳化硅在高温下，碳化硅很容易发生氧化燃烧反应，造成材料表面胶碳层气孔率增加和结构疏松，影响使用寿命。碳化硅电极因高温电弧会发生部分升华氧化，会造成碳化硅制品的不断消耗，甚至发生断裂、破损。而碳化硅制品损耗率会达到40—60%。
碳化硅制品经过涂料浸渍涂刷处理后，其高温ZS-1011碳化硅过度涂料液能渗入到碳化硅制品的气孔中，排空碳化硅制品里残留的空气，在碳化硅制品气孔及碳化硅制品表面形成一层保护膜。正是这层保护膜能有效的隔绝空气直接与碳化硅制品接触而发生氧化反应，不会在高温巨变中开裂，脱落，从而能有效的延缓碳化硅制品的氧化，延长碳化硅制品的使用寿命。
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