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晶闸管导通条件为加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管2驱动小型继电器利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。虚线框内是小功率NP
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晶闸管导通条件为加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管2驱动小型继电器利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。用于大功率开关电路电机调速逆变电路。达林顿管原理达林顿管又称复合管。它将二只三极管适当的连接在一起，以组成一只等效的新的三极管。这等效于三极管的放大倍数是二者之积。达林顿管的应用达林顿管
当开关变压器的次级线圈通过整流二极管DD开始输出12V电压时，12V电压通过由电容CD滤波电路过滤后，过滤掉因为整流二极管DD产生的浪涌电压。然后12V电压再经过电容C02DCD构成的滤波电路过滤掉交流干扰信号，再输出纯净的12V直流电压。当开关变压器T01的次级产生下正上负的感应电动势时，次级上连接的二极管DD处于截止状态，此时能量被存储起来。当开关变压器T01次级为上正下负的电动势时，变压器次级上连接的整流二极管DD被导通，然后开始输岀直流电压。输出端整流稳压滤波电路主要由整流二极管滤波电容等组成。
该开关电源为反激式开关电源，当IC01D内部MOS开关管导通时，能量全部存储在开关变压器T01的初级，次级整流二极管DD未能导通，次级相当于开路，负载由滤波电容提供能量；当IC01D内部的开关管截止时，此时开关变压器T01的初级线圈上的电流在瞬间变成0，初级线圈的电动势为下正上负，而在次级线圈上感应出上正下负的电动势，此时二极管DD处于导通状态，此时开始输出电压，此电压经过高频滤波电解电容C02D滤波后得到12V直流电压。
热插板控制IC(免除从工作系统中插入或拔除另一接口的影响；电池充电和管理IC。包括电池充电保护及电量显示IC，以及可进行电池数据通讯“智能”电池IC；线性调制IC(如线性低压降稳压器LDO等，包括正向和负向调节器，以及低压降LDO调制管；在交流/直流(AC/DC变换中，低的通态电阻，符合计算机和电信应用中更加适配器和电源的需要。在电源电路设计方面，一般待机能耗已经降到1W以下，并可将电源效率提高至90%以上。要进一步降低现有待机能耗，则需要有新的IC制造工艺技术及在低功耗电路设计方面的突破。
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