产生PID效应后有部分电池出现出现了高电阻造成组件PID现象的原因主要是电池片方块电阻的均匀性、减反射层的厚度和折射率等对PID性能都有着不同的影响。上述引起PID现象的三方面中，由在光伏系统中的组件边框与组件内部的电势差而引起的组件PID现象被行业所公认，但在组件和电池片两个方面组件产生PID现象的机理尚不明确，相应的进一步提升组件的抗PID性能的措施仍不清楚。
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产生PID效应后有部分电池出现出现了高电阻造成组件PID现象的原因主要是电池片方块电阻的均匀性、减反射层的厚度和折射率等对PID性能都有着不同的影响。上述引起PID现象的三方面中，由在光伏系统中的组件边框与组件内部的电势差而引起的组件PID现象被行业所公认，但在组件和电池片两个方面组件产生PID现象的机理尚不明确，相应的进一步提升组件的抗PID性能的措施仍不清楚。
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太阳能级多晶硅技术分为化学法与物理法两大类。化学法的多晶硅制程泛指硅在纯化过程中，需要转换成硅化合物的中间产物，再利用裂解或氧化还原反应，将硅化合物转成高纯度的多晶硅原料。化学法制程可产出纯度较高的多晶硅，但由于中间牵涉到许多副产品的控制与处理，技术难度较高，依照不同技术来源，成本各异，一般来说成本比物理法制程高。大部分化学法都需利用冶金级硅（metallurgical grade silicon;MG）来当作硅化合物的原料，少数是直接利用二氧化硅来制备硅化合物。
流体床反应法与ASiMi法同样以硅为原料，这种方法的反应温度较低，可减少近30%的耗电量，且因硅晶种反应面积较大，反应炉内气流速度快，可解决ASiMi法沉积速度慢的问题。流体床反应可为连续式的生产，也是流体床反应炉优于钟罩形西门子反应炉的原因。管状沉积法是Joint Solar Silicon GmbH （JSSI）使用的多晶硅生产技术，所使用的原料与原理和流体床反应法相同，皆为硅与氢气加热分解后产生的多晶硅。JSSI宣称此法所消耗的电量为传统西门子法的10分之1，转换率可达95~98%，目前已有量产纪录。
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