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碳化硅(SiC)，又称金刚砂。1891年美国人艾契逊(Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的(CO)。工业盐(Na
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碳化硅(SiC)，又称金刚砂。1891年美国人艾契逊(Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的(CO)。工业盐(NaCl)的作用是便于除去料中存在的氧化铝、氧化铁等杂质。
硅化可在普通大气压的碳管炉内进行，硅化温度必须大于2000℃。如果在66.65MPa的真空炉中进行，则硅化温度可降到1500~1600℃。产生硅蒸气所用的硅粉颗粒尺寸为0.991~4.699mm。在大气压力下硅化时，硅粉可装在石墨坩埚里。在真空下硅化时，则应装在氮化硼(BN)坩埚里，因为此时硅会渗入石墨中并作用形成碳化硅而使石墨坩埚，而氮化硼与硅不润湿。硅化所需的时间依据硅化的温度及在该温度下的硅的挥发量的不同而变化。在硅化完成后，坩埚内通常不应该再有硅残留而都蒸发了。由于蒸发而附着在制品表面上的硅可用热的处理除去。自结合碳化硅制品的强度为一般碳化硅制品的7~10倍，且能力提高了。
碳化硅的原料有石英砂、石油焦等，又叫金刚砂，化学结构为六方形晶体，通常比重为 3.2，硬度较大，平均为3000kg/mm2。碳化硅具有很多优点，如导热系数高、膨胀系数小、体积小和强度高等。碳化硅涂层被电磁波影响，从而产生感应电流，应电流易受电磁场影响改变方向，同时由于材料的高电阻阻碍，电磁波的能量会变为热量散失，即能量消耗，这样雷达等电子设备的信号大大减弱，这种现象称为吸波性能。
不同类型的碳化硅材料具有不同的吸波能力。例如，异形截面的碳化硅与边界规则的碳化硅截面具有不同的吸波性能，不同碳化硅的表面曲率不同，其电荷聚集的能力也不同，通常曲率较小则容易聚集电荷。另外，不同厚度的涂层对吸波性能也有不同的影响。
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