光刻工艺是半导体集成电路制造工艺中关键的步骤。在进行离子注入或刻蚀之前，需要通过光刻工艺形成光刻胶团，以预先定义出待刻蚀或离子注入的区域。将所述半导体晶片传送至曝光设备，通过一系列对准动作后，对所述半导体晶片表面的光刻胶层进行曝光，掩膜版上预定好的图案通过曝光可以转移到所述光刻胶层上；显影工艺通过溶解被曝光的光刻胶区域，形成了光刻胶图案。 但是，被曝光区域的光刻胶会由于溶解不充分而产生光刻胶残留缺
亮面曝光显影设计
光刻工艺是半导体集成电路制造工艺中关键的步骤。在进行离子注入或刻蚀之前，需要通过光刻工艺形成光刻胶团，以预先定义出待刻蚀或离子注入的区域。将所述半导体晶片传送至曝光设备，通过一系列对准动作后，对所述半导体晶片表面的光刻胶层进行曝光，掩膜版上预定好的图案通过曝光可以转移到所述光刻胶层上；显影工艺通过溶解被曝光的光刻胶区域，形成了光刻胶图案。 但是，被曝光区域的光刻胶会由于溶解不充分而产生光刻胶残留缺陷，亮面曝光显影设计
光刻工艺是半导体制造过程中为重要的步骤之一，包括晶圆表面清洗烘干、匀胶、软烘焙、对准、曝光、显影、硬烘焙、刻蚀、去胶、检测等多道工序。显影过程是显影液与胶膜反应，使被曝光的胶膜（正胶）或未曝光的胶膜（负胶）转化为可溶性物质然后被清洗的过程。不同产品或者不同工艺阶段需要不同的显影工艺，对应不同浓度或不同化学成分的显影液。亮面曝光显影设计
显影分为正胶显影和负胶显影。正胶显影是将感光部分的光刻胶溶出,留下未感光部分的胶层;负胶显影是将未感光部分的光刻胶溶除,留下感光部分的胶膜。显影时间较长。如果采用传统手工方式,显影效果往往受到操作者经验的制约,同时,很难批量化生产。如果采用薄胶自动显影设备进行显影,因为显影时间较长,显影液喷洒到晶片上进行显影后,经过漂洗等工艺,很难再进行回收,这样势必消耗大量的显影液,造成浪费。亮面曝光显影设计
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