以前我做过感光板，效果都很好，显影之后清洗完成马上腐蚀，腐蚀时间的也就5分钟搞定，如果三氯化铁浓度高，温度高的话，一般2分钟内完成腐蚀。
前几天又用感光板做电路，显影以后，由于三氯化铁溶液没有准备好，所以先在太阳下暴晒（增加感光膜硬度），然后放置了2天，今天腐蚀，然而三氯化铁温度，浓度都相当可以，但是腐蚀效果非常差，前后用时有20分钟，下面是图片。贴片IC的脚印之间我用小刀刻过，防止
圆弧面曝光显影厂
以前我做过感光板，效果都很好，显影之后清洗完成马上腐蚀，腐蚀时间的也就5分钟搞定，如果三氯化铁浓度高，温度高的话，一般2分钟内完成腐蚀。
前几天又用感光板做电路，显影以后，由于三氯化铁溶液没有准备好，所以先在太阳下暴晒（增加感光膜硬度），然后放置了2天，今天腐蚀，然而三氯化铁温度，浓度都相当可以，但是腐蚀效果非常差，前后用时有20分钟，下面是图片。贴片IC的脚印之间我用小刀刻过，防止腐蚀后短路，还有几处腐蚀速度很快也是因为我用刀修理过。剩下的地方腐蚀速度差异非常大。原因我考虑可能是显影以后铜膜钝化了，所以和三氯化铁接触不良导致。有遇到过这样情况的帮我分析一下，解决一下，不胜感激涕零无数！
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光刻十步法：表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀，
光刻胶的物理属性：
粘度：测试方法有落球粘度计量器、Ostwalk-Cannon-Fenske方法、转动风向标法、粘度单位是厘泊（centipoise），另一种单位称为kinematic粘度，它是centistoke，由 粘度（厘泊）除以光刻胶密度而得到，默认温度为25度；
折射系数：index of refraction，对于光刻胶其折射率和玻璃接近约为1.45；
储存与控制： 光热敏感度、粘度、清洁度……
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曝光是利用光照将掩模版上的图形经过光学系统后投影到光刻胶上，实现图形转移，是集成电路制造中光刻工艺的重要工序之一。晶圆表面涂有光刻胶，掩模版上的图形被投影到光刻胶上之后，会激发化学反应，光刻胶经过前烘之后，原本为液态的光刻胶在硅片表面固化，这样就可以进行曝光。在未经曝光前，正性光刻胶中的感光剂DQ是不溶于显影液的，同时也会抑制酚醛树脂在显影液中的溶解。圆弧面曝光显影厂
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