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苏州科鲁斯特测控科技有限公司是由国内外分析行业资深人士成立。公司专注于生物、化学、电子等行业测试用设备。
低温硅液相外延：低温外延是硅器
1260液相供应
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低温硅液相外延：低温外延是硅器件制造的总体趋势.在硅LPE中,由于新的溶剂(主要是Ag,Au及其合金)不断发现,大大降低了硅LPE的温度.金对硅的溶解度就是在400℃也能达到15at.%以上,Ag在845℃也有11at.%的Si含量.又因金在硅中的固溶度在800℃才达到影响光生载流子寿命的阈值,而当生长温度500℃时,Au在硅中的固溶度不到1012cm-3。
LPE的硅外延层,以其良好的电学、光学及其生长特性,而在CVD无法胜任的领域应用前景诱人.目前,取得较为成功的方面有:(1)垂直沟道的场控制器件中的埋栅制造及沟道的外延再填;(2)太阳能电池;(3)超晶格器件;(4)三维集成技术 [1] .场控制器件：CVD在硅器件的埋结制造中,因自掺杂而出现埋层尺寸增加,密排栅极叉指制造也受到严重影响,而LPE因其可以消除自掺杂,而在这方面得到应用,尤其对硼扩散的埋栅区域的埋结制造,其优点更为明显 [1] .
太阳能电池(solar cells,SC)：在SC制造中,一个突出的既矛盾又相互制约的问题是:要求外延层不能太厚,以免光生载流子在到达表面之前复合太多,但又不能太薄,以保证足够的光吸收.目前商业生产的SC发射极厚达250—400μm,是用硅体单晶或多晶硅制成,因而材料的成本就占了很大的比重,为降低成本,在廉价的衬底如硅片、玻璃、陶瓷上液相外延一层10—50μm的高质量的硅薄。
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