在电子学方面真空镀膜更占有较为重要的地位。各种规模的继承电路。包括存贮器、运算器、告诉逻辑元件等都要采用导电膜、绝缘膜和保护膜。作为制备电路的掩膜则用到铬膜。磁带、磁盘、半导体激光器，约瑟夫逊器件、电荷耦合器件( CCD )也都甬道各种薄膜。
在元件方面，在真空中蒸发镍铬，铬或金属陶瓷可以制造电阻，在塑料上蒸发铝、一氧化硅、二氧化钛等可以制造电容器，蒸发硒可以得到静电复印
汽车纳米镀膜
在电子学方面真空镀膜更占有较为重要的地位。各种规模的继承电路。包括存贮器、运算器、告诉逻辑元件等都要采用导电膜、绝缘膜和保护膜。作为制备电路的掩膜则用到铬膜。磁带、磁盘、半导体激光器，约瑟夫逊器件、电荷耦合器件( CCD )也都甬道各种薄膜。
在元件方面，在真空中蒸发镍铬，铬或金属陶瓷可以制造电阻，在塑料上蒸发铝、一氧化硅、二氧化钛等可以制造电容器，蒸发硒可以得到静电复印机用的硒鼓、蒸发钛酸钡可以制造磁致伸缩的起声元件等等。真空蒸发还可以用于制造超导膜和惯性约束巨变反应用的微珠镀层。
真空镀膜加工即真空电镀是一种物理沉积现象。即在真空状态入气，气撞击靶材，靶材分离成分子被导电的货品吸附形成一层均匀光滑的表面层。其特点就是保色久，度好，但是由于其对环境要求较严格而且工艺相对比较复杂成本方面比一般电镀要高。在真空镀膜加工的上下表面都会发生反射，这样两束光相遇的时候，其光程差，其中n0是膜的折射率，d是膜的厚度。
真空镀膜加工的基本技能要求
5、离子镀堆积源的规划应尽可能提高镀膜过程中的离化率，提高镀膜资料的利用率，合理匹配堆积源的功率，合理布置堆积源在真空室体的位置。
6、合理布置加热设备，一般加热器结构布局应使被镀工件温升均匀一致。
7、工件架应与真空室体绝缘，工件架的规划应使工件膜层均匀。
8、离子镀膜设备一般应具有工件负偏压和离子轰击电源，离子轰击电源应具有抑制非正常放电设备，维持作业稳定。
9、真空室接不同电位的各部分间的绝缘电阻值的巨细，均按GB/T11164-1999中的4.4.6
10、其他注意事项
1）环境温度：10-30oC2）相对湿度：不大于75% 3）冷却水进水温度：不高于25oC 4）冷却水质：城市自来水或相当质量的水。 5）供电电源：380V三相50Hz或220V单相50Hz(由所用电器需求而定)；电压波动范围：342-399V或198-231V；频率波动范围：49-51Hz。6）设备所需的压缩空气，液氮，冷水、热水等的压力、温度，消耗量等，均应在产品运用说明书中写明。7）设备周围环境整齐，空气清洁，不应有引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘埃或气体存在。
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