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ASEMI肖特基二极管MB10200FAC 编辑：L ASEMI肖特基二极管系列MB10200FAC，电性参数为10A 200V，芯片材质采用俄罗斯Mikron芯片，内含1个95MIL的大芯片，大芯片足 10A的正向电流和0.75V的正向电压，可承受175A浪涌电流， 漏电流为10UA，恢复时间小于等于5nS。 MBR10200FAC属ITO-220A
二极管肖特基


ASEMI肖特基二极管MB10200FAC

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ASEMI肖特基二极管系列MB10200FAC，电性参数为10A 200V，芯片材质采用俄罗斯Mikron芯片，内含1个95MIL的大芯片，大芯片足 10A的正向电流和0.75V的正向电压，可承受175A浪涌电流， 漏电流为10UA，恢复时间小于等于5nS。 MBR10200FAC属ITO-220AC全塑封封装，有2个引脚，正极输入，负极输出。全塑封绝缘性能高。








ASEMI肖特基二极管MBR40200PT，电性参数为40A200V,TO-247/3P封装，芯片采用俄罗斯进口Mikron芯片，镭射激光打标，不易退色；黑胶材质为进口环氧塑脂材料，包封稳定性强，其引脚为无氧铜，抗弯曲、减少氧化、高导电性。












ASEMI肖特基二极管，每一道工序都在严格的监控下生产制造。所生产出来的肖特基二极管产品，已过严格检验测试方可出厂，确保没有不良品。因为ASEMI相信，客户是懂产品的。客户相信ASEMI的与，才会下单。



ASEMI低压降肖特基二极管10V45


ASEMI低压降肖特基二极管10V45，电性参数为10A 45V，是手机充电器，ASEMI半导体采用的第三代芯片制造工艺，所产芯片性能稳定，靠性高，目前ASEMI半导体拥有的半导体生产工艺和台湾健鼎一体化自动测试设备，产品合格率达99%。







ASEMI低压降肖特基二极管作为未来高频整流器件采纳的典型代表，越来越多的被电源工程师门认可。那么问题了，为什么越来越多的客户愿意选择ASEMI低压降二极管呢？其实台湾ASEMI作为低压降肖特基二极管行业旗帜。






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